Alle Artikel mit dem Schlagwort: SiC

Sichtprüfung der Siliziumkarbid-Halbleiter während der Produktion in der Waferfabvon Bosch in Reutlingen. Foto: Bosch

Bosch will Elektroautos mit Kohle-Chips anfeuern

Deutscher Elektronikkonzern steigt in Leistungs-Halbleiter auf Siliziumkarbid-Basis ein Reutlingen/Dresden, 7. Oktober 2019. Bosch wird künftig Schaltkreise, die besonders starke Ströme und hohe Spannungen aushalten müssen, auf Scheiben aus einem Silizium-Kohlenstoff-Verbund produzieren. Das hat Harald Kröger von der Bosch-Geschäftsleitung heute bei einem Besuch der neuen Chipfabrik in Dresden angekündigt. Mit solchen besonders schnellen und effizienten Leistungs-Halbleitern aus Silizium-Karbid (SiC) werde es möglich, „die Reichweite von Elektroautos um etwa sechs Prozent zu vergrößern“, versprach er.

Siltectra-Technik-Chef positioniert einen Test-Wafer unter dem eigenentwickleten Multi-Photonen-Laser. Foto: Heiko Weckbrodt

Infineon kauft Waferspalt-Firma Siltectra Dresden

Halbleiterkonzern bezahlt 124 Millionen Euro Dresden/München, 12. November 2018. Infineon kauft für 124 Millionen Euro die Firma Siltectra Dresden. Das teilten Infineon und Siltectra heute mit. Das 2010 gegründete Unternehmen Siltectra hatte zuvor eine neue „Cold Split“-Technologie entwickelt, um Silizium- und Kohlenstoff-Scheiben („Wafer“) kosten- und materialsparend zu spalten, statt sie zu zersägen.

Kohlenstoff-Chips sollen die Stromwandler in Solaranlagen kleiner und sparsamer machen. Foto: NeuLand/Infineon

Infineon arbeitet an Stromspar-Chips aus Kohlenstoff

„NeuLand“-Forscher setzen auf Siliziumkarbid und Galliumnitrid Neubiberg, 23. Juni 2014: Künftige Kohlenstoff-Leistungshalbleiter werden nur noch halb so viel Energie verbrauchen wie herkömmliche Elektronik-Chips, die ganz aus Silizium hergestellt sind. Das hat das bundesgeförderte Industrieforschungs-Projekt „NeuLand“ ergeben. Dieses Projekt hat nichts mit dem Aufbruch der Kanzlerin ins Internet zu tun, sondern widmet sich unter Federführung des deutschen Mikroelektronik-Konzerns „Infineon“ neuartigen Leistungs-Halbleitern, die aus Silizium-Karbid (SiC) beziehungsweise Galliumnitrid auf Siliziumscheiben (GaN on Si) bestehen.