
Siliziumkarbid-Wafer von Bosch. Die Leistungselektronik aus diesem Material hat weniger Energieverluste als eine Silizium-Lösung und ist daher zum Beispiel für besonders effiziente Elektroautos und Ladesysteme interessant. Foto: Bosch
Schwaben wollen mit Milliarden-Investition ihre Position im E-Auto-Markt und in den USA stärken
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Stuttgart/Roseville/Dresden, 26. April 2023. Um mehr Leistungs-Elektronik für Autos bauen zu können, will Bosch ein Chipwerk von „TSI Semiconductors“ aus Roseville in den USA kaufen. Bis 2026 möchte der süddeutsche Elektronikkonzern das kalifornische Werk so umrüsten, dass es besonders moderne Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) herstellen kann. Das hat Bosch heute angekündigt.
Konzernchef verweist auf weltweiten Boom der Elektromobilität
Insgesamt haben die Schwaben rund 1,5 Milliarden Dollar (1,39 Milliarden Euro) dafür eingeplant. Nach Reutlingen und Dresden werde Roseville damit der dritte große Halbleiterstandort für das Unternehmen, avisierte das Unternehmen. Damit werde Bosch bis 2030 sein weltweites Angebot an SiC-Chips signifikant erweitern. „Insbesondere der weltweite Boom und Hochlauf der Elektromobilität führen zu einem enormen Bedarf an solchen Spezialhalbleitern“, betonen die Schwaben. Wieviel genau sie in den USA investieren und wieviel sie für das Werk bezahlen, wird auch davon abhängen, wieviel Subventionen die US-Amerikaner im Rahmen ihres „Chips Act“ an die Deutschen zahlen wollen. Auch müssen Bosch und TSI erst noch behördliche Genehmigungen abwarten, zu denen sicher auch kartellrechtliche Prüfungen gehören werden.
Bosch greift international aus
Bosch greift mit der Akquise in den USA auch international aus: „Mit dem Erwerb von TSI Semiconductors bauen wir in einem wichtigen Absatzmarkt Fertigungskapazitäten für SiC-Chips auf und stellen gleichzeitig auch unsere Halbleiterfertigung global auf“, betonte Bosch-Chef Stefan Hartung. „Die vorhandenen Reinraumflächen und das Fachpersonal in Roseville werden es uns ermöglichen, SiC-Chips für die Elektromobilität in noch größerem Maßstab zu fertigen.“
Ursprünge bei Telefunken
TSI Semiconductors ist ein Chip-Auftragsfertiger, der „Anwendungsspezifische integrierte Schaltkreise“ (ASICs) auf 200 Millimeter großen Siliziumscheiben (Wafer) herstellt. Das Unternehmen geht auf die frühere Telefunken Semiconductors America zurück. Der Halbleiter-Standort in Roseville existiert seit 1984 und beschäftigt heute 250 Menschen. Die Umrüstung auf SiC-Chips würde dem Werk eine technologisch ganz neue Ausrichtung geben.
Effizientere E-Autos mit Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern
Leistungshalbleiter aus der Verbindung von Silizium und Kohlenstoff (Siliziumkarbid) schalten im Vergleich zu reinen Silizium-Lösungen schneller, haben einen größeren Wirkungsgrad, mehr Leistungsdichte und weniger Energieverluste, vertragen außerdem höhere Spannungen. All dies empfiehlt sie beispielsweise für den Einsatz in Elektroautos.
Autor: hw
Quellen: Bosch, bizjournals.com, tfsemi, all-electronics
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