Alle Artikel mit dem Schlagwort: Leistungselektronik

Siliziumkarbid-Wafer von Bosch. Die Leistungselektronik aus diesem Material hat weniger Energieverluste als eine Silizium-Lösung und ist daher zum Beispiel für besonders effiziente Elektroautos und Ladesysteme interessant. Foto: Bosch

Bosch will TSI-Chipfabrik in USA kaufen und auf SiC-Chips umrüsten

Veröffentlicht von Heiko Weckbrodt

Schwaben wollen mit Milliarden-Investition ihre Position im E-Auto-Markt und in den USA stärken Stuttgart/Roseville/Dresden, 26. April 2023. Um mehr Leistungs-Elektronik für Autos bauen zu können, will Bosch ein Chipwerk von „TSI Semiconductors“ aus Roseville in den USA kaufen. Bis 2026 möchte der süddeutsche Elektronikkonzern das kalifornische Werk so umrüsten, dass es besonders moderne Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) herstellen kann. Das hat Bosch heute angekündigt.

Die Lithografie-Abteilung im X-Fab-Chipwerk in Dresden. Foto: X-Fab

Sachsen fordert von Bundesampel mehr Tempo bei Chipindustrie-Förderung

Veröffentlicht von Heiko Weckbrodt

Ministerpräsident Kretschmer: Das muss schneller gehen mit dem IPCEI-Geld Dresden, 29. April 2022. Der sächsische Ministerpräsident Michael Kretschmer (CDU) hat von der Bundes-Ampel in Berlin mehr Tempo für die Mikroelektronik-Förderung gefordert. „Das muss schneller gehen“, sagte er heute nach einer Sitzung des Innovationsbeirates Sachsen in der Bosch-Chipfabrik in Dresden.

Blick in eine Experimentalkammer im ELBE-Komplex des Forschungszentrums Dresden-Rossendorf, an die bereits der Draco-Laser angeschlossen ist. Foto: Heiko Weckbrodt, "Creative Commons"-Lizenz 3.0 (freie Nutzung unter Namensangabe)

Neues Material für hochspannende Chips

Veröffentlicht von Heiko Weckbrodt

Helmholtz Dresden spickt Galliumoxid mit Wasserstoff Dresden, 12. November 2020. Das Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR) hat gemeinsam mit Instituten aus Ohio, Berkeley und Los Alamos ein neues Material entwickelt, das sich für besonders billige und sparsame Leistungselektronik für Elektroautos, Hochgeschwindigkeitszüge und Solarkraftwerke eignet. Dafür haben die Forscher und Forscherinnen eine spezielle Galliumoxid-Art mit Wasserstoff-Atomen beschossen, teilte das HZDR heute mit. Durch diese „Dotierung“ kann dieses Halbleitermaterial nun mit schwachen Steuersignale auch sehr starke Ströme und hohe Spannungen umschalten.

Gallium-Nitrid-Chiptechnik: Sachsen fördert 200-mm-Wafer-Entwicklung bei Azzurro

Veröffentlicht von Heiko Weckbrodt

Dresden, 19.7.2012: Der Freistaat Sachsen wird die Entwicklung von Galliumnitrid-beschichteten 200-Millimeter-Wafern für Leistungselektronik und Leuchtdioden in der Halbleiterfirma „Azzurro“ mit Fördermitteln unterstützen. Einen entsprechenden Förderbescheid will die sächsische Wissenschaftsministerin Sabine von Schorlemer (parteilos) in der kommenden Woche an die Dresdner Azzurro-Fabrik übergeben, die die neue Technologie gemeinsam mit dem Nanoelektronik-Institut „Namlab“ der TU Dresden entwickeln will.