Alle Artikel mit dem Schlagwort: Leistungselektronik

Blick in eine Experimentalkammer im ELBE-Komplex des Forschungszentrums Dresden-Rossendorf, an die bereits der Draco-Laser angeschlossen ist. Foto: Heiko Weckbrodt, "Creative Commons"-Lizenz 3.0 (freie Nutzung unter Namensangabe)

Neues Material für hochspannende Chips

Helmholtz Dresden spickt Galliumoxid mit Wasserstoff Dresden, 12. November 2020. Das Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR) hat gemeinsam mit Instituten aus Ohio, Berkeley und Los Alamos ein neues Material entwickelt, das sich für besonders billige und sparsame Leistungselektronik für Elektroautos, Hochgeschwindigkeitszüge und Solarkraftwerke eignet. Dafür haben die Forscher und Forscherinnen eine spezielle Galliumoxid-Art mit Wasserstoff-Atomen beschossen, teilte das HZDR heute mit. Durch diese „Dotierung“ kann dieses Halbleitermaterial nun mit schwachen Steuersignale auch sehr starke Ströme und hohe Spannungen umschalten.

Gallium-Nitrid-Chiptechnik: Sachsen fördert 200-mm-Wafer-Entwicklung bei Azzurro

Dresden, 19.7.2012: Der Freistaat Sachsen wird die Entwicklung von Galliumnitrid-beschichteten 200-Millimeter-Wafern für Leistungselektronik und Leuchtdioden in der Halbleiterfirma “Azzurro” mit Fördermitteln unterstützen. Einen entsprechenden Förderbescheid will die sächsische Wissenschaftsministerin Sabine von Schorlemer (parteilos) in der kommenden Woche an die Dresdner Azzurro-Fabrik übergeben, die die neue Technologie gemeinsam mit dem Nanoelektronik-Institut “Namlab” der TU Dresden entwickeln will.