Infineon baut neue Leistungshalbleiter-Fabrik in Malaysia
Konzern investiert zwei Milliarden Euro in Modul 3 in Kulim
München/Kulim, 18. Februar 2022. Der bayrische Chiphersteller Infineon baut seine Chipfabriken im malaysischen Kulim aus. Für zwei Milliarden Euro soll dort ein drittes Werk-Modul entstehen, das Leistungshalbleiter auf der Basis von Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) herstellen wird. Das hat Infineon in München angekündigt.
900 neue Jobs und mehr Wertschöpfung als in Europa
Das neue Fabrik-Modul „Kulim 3“ soll bei voller Auslastung für 900 neue Jobs sorgen. Die Bauarbeiten starten im Juni 2022, die ersten Wafer sollen in der zweiten Hälfte 2024 die Fabrik verlassen. Anders als typischerweise in Europa wird die Infineon-Fabrik in Malaysia neben dem sogenannte „Frontend“, also den Chip-Kernfertigungsschritten, auch Backend-Prozesse umfassen, insbesondere das Aufsägen der Wafer zu einzelnen Chips. Insofern wird das Werk in Asien mehr Wertschöpfungsschritte abdecken als die europäischen Standorte.
Infineon rechnet mit starkem Marktwachstum durch Energiewende
„Erneuerbare Energien und Elektromobilität sind Haupttreiber für ein starkes und nachhaltiges Wachstum der Nachfrage nach Leistungshalbleitern“, erklärte Infineon-Operativchef Jochen Hanebeck. „Mit dem Ausbau der SiC- und GaN-Kapazitäten bereitet sich Infineon auf das beschleunigte Wachstum des Markts für Verbindungshalbleiter vor.“
Kapazitätsausbau für Leistungshalbleiter auch in Villach geplant
Leistungshalbleiter sind Elektronikbausteine, die besonders hohe Spannungen beziehungsweise starke Ströme vertragen. Benötigt werden sie unter anderem für Netzteile in Computern oder Fernsehern, für Solar- und Windenergieanlagen, U-Bahnen und Elektroautos. Wichtige Leistungshalbleiter-Fabriken von Infineon stehen unter anderem in Dresden und im österreichischen Villach. Insbesondere der sächsische Standort mit seinen Anlagen für 300 Millimeter große Scheiben (Wafer) ist für große Produktionsmengen ausgelegt, allerdings auf Siliziumbasis und nicht auf der Basis von Verbindungshalbleitern. Villach hat auch eine 300-mm-Fab, ist aber auch als Entwicklungszentrum für neue Leistungshalbleiter-Technologien wie eben GaN und SiC ausgelegt. Dort will die Konzernspitze demnächst alte 150-Millimeter- und 200-Millimeter-Silizium-Fertigungslinien auf SiC and GaN umgerüsten.
Infineon strebt laut eigenen Angaben mit SiC-Leistungshalbleitern bis 2025 einen Umsatz von einer Milliarde US-Dollar an. Auch für den GaN-Markt erwarten Analysten ein starkes Wachstum: von 47 Millionen Dollar im Jahr 2020 auf 801 Millionen Dollar im Jahr 2025.
Autor: hw
Quellen: Infineon, Oiger-Archiv
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