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Licht an – Molekül an: Ein Lichtstrahl schaltet erstmals ein einzelnes Molekül in einen geschlossenen Zustand (rote Atome), sodass Strom fließen kann. Foto: HZDR/Pfefferkorn

3D-Chips und hauchdünne Atomlagen im Fokus

Konferenz „ALD 2016“ mit starker Dresdner Beteiligung Dublin, 21. August 2016. Wie immer dünnere Atomlagen in Computerchips und anderen Systemen aufgebracht und dabei neue Materialien verwendet werden können, darüber haben über 800 internationale Experten aus Wissenschaft und Industrie dieser Tage in Dublin diskutiert. Die „ALD 2016“ ist die größte Konferenz im Technologiefeld der Atomlagen-Abscheidung (ALD = „Atomic Layer Deposition“). Die Leitung hatten diesmal Dr. Simon Elliott vom irischen „Tyndall National Institute“ und Dr. Jonas Sundqvist von der schwedischen „Lund University“ und vom Dresdner Fraunhofer IKTS übernommen.

Chipfertigung mit “atomarem Legospiel”

Santa Clara/San Francisco, 20.7.11: Der Chipwerkausrüster Applied Materials (Santa Clara/USA) hat auf der Halbleitermesee “Semicon West 2011” ein Verfahren vorgestellt, mit dem die Prozessoren und Speicher von übermorgen gewissermaßen “Atom für Atom” konstruiert werden soll. Das Unternehmen hat dafür die bereits seit den 1970ern bekannte Technik der “Atomic Layer Deposition” (ALD) reanimiert. Dabei werden in Vakuumkammern zwischen Leiterbahnen und Transistoren auf der Siliziumscheibe (Wafer) Isolatorschichten aus Hafnium aufgebracht, die weniger als zwei Nanometer (nm = Millionstel Millimeter) dünn sind. Applied selbst sprach von einem “atomaren Legospiel”. Die Technik soll für Computerchips der Strukturgeneration unter 22 nm eingesetzt werden, die frühestens in zwei Jahren marktaktuell werden.