Alle Artikel mit dem Schlagwort: ALD

Die Chipmetrics-Gründer (von links nach rechts): Feng Gao, Pasi Hyttinen und Mikko Utriainen. Collage: Chipmetrics, tlw. KI-generiert

2,4 Millionen Euro Risikokapital für Chipmetrics Oy

Veröffentlicht von Heiko Weckbrodt

Mikroelektronik-Messtechniker aus Finnland sind auch in Sachsen präsent Joensuu, 25. Januar 2024. „Chipmetrics Oy“ aus Joensuu bekommt 2,4 Millionen Euro Risikokapital von einer Gruppe aus deutschen, finnischen und schwedischen Investoren. Das hat der Hightech-Gründerfonds (HTGF) aus Bonn mitgeteilt, der zu den Geldgebern gehört. Die finnische Halbleiter-Messtechnikfirma will mit dem frischen Kapital seine „Produktentwicklung beschleunigen, die Produktionskapazität erhöhen und die Marktpräsenz mit dem bestehenden internationalen Kundenstamm ausbauen“.

Anjana Devi. Foto: Jürgen Lösel für das IFW Dresden

2D-Material-Expertin Devi wechselt ans IFW Dresden

Veröffentlicht von Heiko Weckbrodt

Ultradünne Molekülnetze sollen neue Impulse für Energietechnik, Chipindustrie und Optik auslösen Dresden, 5. Januar 2024. Hauchdünne zweidimensionale Molekülnetze sollen künftig die Energietechnik, Optik und Mikroelektronik auf eine neue Stufe heben. Denn durch Nanostrukturen und spezielle chemische Zusätze können solche 2D-Materalien mal Strom besonders verlustarm leiten, dann wieder Energie oder Wasserstoff gut speichern oder ganz andere maßgeschneiderte Funktionen in kleinster Bauweise bekommen. Als eine Expertin für die Synthese derartiger Wundermaterialien gilt die indische Materialwissenschaftlerin Anjana Devi, die zum Jahresbeginn 2024 an das Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung (IFW) Dresden wechselt.

Chip-Finnenschwede: Sachsen ist meine zweite Heimat geworden

Veröffentlicht von Heiko Weckbrodt

Jonas Sundqvist will von Sachsen aus Europas Chipindustrie eine ätzenden Schub in die Nanowelt verpassen Dresden, 3. April 2023. Sachsen und Schweden haben eigentlich viel gemeinsam, ist Dr. Jonas Sundqvist überzeugt: Das Schulsystem zu DDR-Zeiten erinnert ihn an das schwedische, der Gedanke des gemeinsamen Lernens und dergleichen mehr. Nur richtig große Chipfabriken und große Reinräume, die hat Schweden eben nicht – und vor allem deshalb ist Dresden für den Halbleiterexperten Sundqvist eine zweite Heimat geworden: Über zwei Jahrzehnte lang hat er in den großen Chipbuden und Forschungsschmieden des „Silicon Saxony“ gearbeitet, hat ein Stück weit den Standort auch mitgeformt.

An der neuen Atomlagenabscheidungs-Anlage können die DCST-Forscher und -Forscherinnen nun auch atomdünne Metallschichten mit hoher Präzision erzeugen. Foto: DCST

Atomgenaue Beschichter für ausbeutestarke Sonnenstrom-Sammler

Veröffentlicht von Heiko Weckbrodt

Technologiehochburg Dresden richtet internationale Tagung für Atomlagenabscheidung aus Dresden, 8. März 2023. Als die Russen und Finnen in den 1960er und 70er Jahren die Atomlagenabscheidung – heute als ALD abgekürzt – erfanden, sah das nach einem großen Wurf aus: Damit ultradünne Schichten aus Titan, Alu oder Kristallstrukturen zu erzeugen, erschien universell einsetzbar. Doch das Verfahren erwies sich erst mal als zu langsam, war nur schubweise in speziellen Kammern möglich und setzte sich vorerst nur in der Mikroelektronik durch. Mittlerweile aber haben Ingenieure aus Sachsen, Belgien und anderswo jeweils ganz eigene Drehs gefunden, um die atomgenaue Beschichtung auf Trab zu bringen. Auf der Ausstellungstagung „ALD for Industry“ wollen sie diese innovativen Ansätze am 21. und 22. März 2023 in Dresden näher vorstellen.

Dr. Dmitry Suyatin, Dr. Amin Karimi und Dr. Reza Jafari Jam von "Alixlabs" im Nanolab-Reinraum der Uni Lund. Foto: Alixlabs / Uni lund

Schweden ätzen in Sachsen den Weg zu Nanochips frei

Veröffentlicht von Heiko Weckbrodt

Alixlabs Lund will bei Fraunhofer Dresden eine Alternative zur teuren EUV-Belichtungstechnik fabrikreif machen Dresden/Lund, 2. Dezember 2022. Die schwedische Uni-Ausgründung „Alixlabs“ aus Lund will in Sachsen ein neues Ätzverfahren zur Fabrikreife führen. Das soll die Produktion von Nanoelektronik der neuesten Generation deutlich preiswerter möglich machen als bisher kalkuliert. Laut Alixlabs-Chef Jonas Sundqvist lassen sich damit auch ohne sündhaft teure Extremultraviolett-Belichter (EUV) besonders feine Chipstrukturen von weniger als zehn Nanometern erzeugen.

Anlage für die Atomlagenabscheidung von FHR. Foto: FHR

Ingenieure aus Sachsen verdreifachen Tempo atomgenauer Beschichter

Veröffentlicht von Heiko Weckbrodt

FHR aus Ottendorf-Okrilla stellt Hispeed-Anlage für „Atomic Layer Deposition“ vor – und erschließt sich seit Übernahme durch China neue Märkte Ottendorf-Okrilla, 17. Mai 2021. Der sächsische Maschinenbauer „FHR“ aus Ottendorf-Okrilla hat eine Anlage für Atomlagenabscheidung entwickelt, mit der sich hochfeine Mikroelektronik-Schichten dreimal schneller als bisher erzeugen lassen. Einsetzen lässt sich die innovative Maschine laut FHR-Produktmanager Hannes Klumbies auch, um antibakterielle Schutzkleider herzustellen, Handy-Linsen mit Fotofiltern zu beschichten, medinische Implantate für die Patienten verträglicher zu machen und dergleichen mehr.

Anlage für die Atomlagenabscheidung von FHR. Foto: FHR

Was ist Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition = ALD)?

Veröffentlicht von Heiko Weckbrodt

Um sehr dünne Schichten zu erzeugen, die zum Beispiel die Reibung eines Motorzylinders mindern, einer Siliziumscheibe neue Computerchip-Elemente zufügen oder ein Feuerwehrhelm-Visier gegen Hitze und gleißende Helle schützen, gibt es verschiedene Verfahren, die alle ihre Vor- und Nachteile haben. Solche Dünnschichten lassen sich beispielsweise durch Lichtbögen, Elektronenstrahlen oder durch Kathodenzerstäubung („Sputter“) erzeugen. Eine weitere Möglichkeit ist die sogenannte Atomlagen-Abscheidung, englisch „Atomic Layer Deposition“ (ALD) genannt. Dieses Verfahren gilt zwar als eher langsam, aber auch als sehr präzise: Wie es der Name schon andeutet, lassen sich damit sogar Schichten erzeugen, die nur eine einzige Atomlage dünn sind. Entwickelt wurde diese Technologie in den 1960ern in der Sowjetunion und in den 1970ern in Finnland. Heute wird die ALD vor allem in Halbleiter-Fabriken eingesetzt. Und das funktioniert so:

Licht an – Molekül an: Ein Lichtstrahl schaltet erstmals ein einzelnes Molekül in einen geschlossenen Zustand (rote Atome), sodass Strom fließen kann. Foto: HZDR/Pfefferkorn

3D-Chips und hauchdünne Atomlagen im Fokus

Veröffentlicht von Heiko Weckbrodt

Konferenz „ALD 2016“ mit starker Dresdner Beteiligung Dublin, 21. August 2016. Wie immer dünnere Atomlagen in Computerchips und anderen Systemen aufgebracht und dabei neue Materialien verwendet werden können, darüber haben über 800 internationale Experten aus Wissenschaft und Industrie dieser Tage in Dublin diskutiert. Die „ALD 2016“ ist die größte Konferenz im Technologiefeld der Atomlagen-Abscheidung (ALD = „Atomic Layer Deposition“). Die Leitung hatten diesmal Dr. Simon Elliott vom irischen „Tyndall National Institute“ und Dr. Jonas Sundqvist von der schwedischen „Lund University“ und vom Dresdner Fraunhofer IKTS übernommen.

Chipfertigung mit „atomarem Legospiel“

Veröffentlicht von Heiko Weckbrodt

Santa Clara/San Francisco, 20.7.11: Der Chipwerkausrüster Applied Materials (Santa Clara/USA) hat auf der Halbleitermesee „Semicon West 2011“ ein Verfahren vorgestellt, mit dem die Prozessoren und Speicher von übermorgen gewissermaßen „Atom für Atom“ konstruiert werden soll. Das Unternehmen hat dafür die bereits seit den 1970ern bekannte Technik der „Atomic Layer Deposition“ (ALD) reanimiert. Dabei werden in Vakuumkammern zwischen Leiterbahnen und Transistoren auf der Siliziumscheibe (Wafer) Isolatorschichten aus Hafnium aufgebracht, die weniger als zwei Nanometer (nm = Millionstel Millimeter) dünn sind. Applied selbst sprach von einem „atomaren Legospiel“. Die Technik soll für Computerchips der Strukturgeneration unter 22 nm eingesetzt werden, die frühestens in zwei Jahren marktaktuell werden.