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Globalfoundries stoppt Entwicklung neuester Chiptechnologie

Bisher investiert Globalfoundries (noch?) massiv in seine 300-mm-Wafer-Kapazitäten in Dresden und New York. Abb.: GF

Abb.: GF

Halbleiterkonzern legt 7-Nanometer-Projekt in den USA auf Eis

Santa Clara/Dresden/Taipeh, 28. August 2018. „Globalfoundries“ (GF) bricht die Entwicklung seiner neuesten Chipgeneration ab, weil der US-amerikanische Auftragsfertiger dafür nicht genug Kunden findet. Das geht aus einer Konzernmitteilung im kalifornischen Santa Clara hervor. Demnach stoppen die GF-Ingenieure ihr Projekt, künftig auch Halbleiter mit Strukturbreiten von nur noch 7 Nanometern (Millionstel Millimeter = nm) in „FinFET“-Bauweise anbieten zu wollen.

Globalfoundries-Chef Tom Caulfield. Foto. Globalfoundries

Globalfoundries-Chef Tom Caulfield. Foto: Globalfoundries

Konzernchef Caulfield will weitere Jobs streichen

Statt dessen will Konzern-Chef Tom Caulfield Kapital und Entwicklungs-Kapazitäten auf FinFET-Technologien der Generation 12 und 14 nm (insbesondere in den USA) konzentrieren sowie auf Halbleiter in SOI- beziehungsweise FDX-Bauweise, wie sie vor allem im GF-Werk Dresden produziert werden. In diesem Zuge werden auch Arbeitsplätze wegfallen, kündigte Caulfield an. Bereits in der Vergangenheit hatte er die Jobs im ganzen Konzern zusammengestrichen.

TSMC und Samsung dominieren Foundry-Markt nun noch stärker

Letztlich überlässt GF damit im globalen Wettbewerb der Auftragsfertiger (Foundries) das Segment für Spitzen-Halbleiter der weltweit ohnehin schon größten Foundry TSMC aus Taiwan sowie Samsung aus Südkorea. Branchenbeobachter sehen diese Entscheidung auch im Zusammenhang mit der zunehmenden Entfernung von der einstigen Konzernmutter AMD: GF bestand ursprünglich aus den ausgegliederten Chip-Werken von AMD und produzierte anfangs vor allem massenhaft Prozessoren für diesen Konzern. Inzwischen hat die ehemalige Mutter immer mehr Aufträge anderweitig vergeben.

Vor allem Auswirkungen auf Werk bei New York erwartet

Der Stopp des 7-nm-Projektes trifft nach Meinung von Branchenbeobachtern vor allem die US-Fabrik von Globalfoundries in Malta bei New York. Dafür könnte das Dresdner Werk im Konzernverbund wieder an Bedeutung gewinnen. Allerdings hat das Unternehmen auch dort Probleme, genug Kunden für die in der Branche noch wenig etablierte FDX-SOI-Technologie zu finden. Deshalb hatte GF Dresden erst kürzlich angekündigt, große Teile der Belegschaft in Kurzarbeit zu schicken.

Dreidimensionaler FinFET-Transistor. Abb.: Globalfoundries

Dreidimensionaler FinFET-Transistor. Abb.: Globalfoundries

FinFET versus FDX

Zum Vergleich: Die für besonders leistungsfähige Chips favorisierte FinFET-Technologie verwendet einen anderen, dreidimensionalen Transistoraufbau als die FDX-SOI-Architektur. Sie wurde ursprünglich vor allem von Halbleiter-Marktführe und AMD-Konkurrenz AMD entwickelt. FinFET gilt als recht teure und energiefressende Lösung, ist aber eine am Markt breit etablierte Lösung.

Vereinfachte Ansicht vom Aufbau eines klasissischen Transistors (links) und eines FD-SOI-Transistors. Grafik: hw

Vereinfachte Ansicht vom Aufbau eines klasissischen Transistors (links) und eines FD-SOI-Transistors. Grafik: hw

Die FDX-Architektur von Globalfoundries soll Chips dagegen möglich machen, die besonders billig sind und nur ganz wenig Strom verbrauchen – und sich damit fürs „Internet der Dinge“, für den Mobilfunk der 5. Generation (5G) und ähnliche Einsatzfelder empfehlen.

Autor: Heiko Weckbrodt