Alle Artikel mit dem Schlagwort: Power Semiconductor

Raik Brettschneider ist einer der beiden Geschäftsführer von Infineon Dresden. Foto: Infineon

Infineon investiert in Dresdner Chipfabriken

Neuer Geschäftsführer Brettschneider verspricht im DNN-Interview 300 neue Jobs Dresden, 16. April 2018. Infineon plant, in den nächsten Jahren einen dreistelligen Millionenbetrag in den Standort Dresden zu investieren und will 300 neue Jobs schaffen. Ein Teil der Gelder fließt in Roboter und neue Automatisierungs-Ausrüstungen, ein anderer Teil in die ehemalige Qimonda-Fabrik: Anfang der 2020er Jahre wird dieses Chipwerk mit der Produktion von Leistungs-Mikroelektronik voll ausgelastet sein, verspricht Raik Brettschneider. Der gebürtige Sachse ist seit Oktober 2017 kaufmännischer Geschäftsführer von Infineon Dresden und Vizepräsident des sächsischen Hightech-Verbandes „Silicon Saxony“ – und hat in beiden Funktionen Helmut Warnecke beerbt. Oiger-Reporter Heiko Weckbrodt hat ihn über seine Pläne ausgefragt: ob die Roboter die Menschen verdrängen, wie der neue Chef die 300-mm-Fabrik auszulasten gedenkt und wie er über die Bosch-Ansiedlung denkt. Wo sehen Sie den Infineon-Standort innerhalb des Konzerns und im internationalen Vergleich? Raik Brettschneider: Wir haben hier eine sehr effiziente Fertigung, die sehr wettbewerbsfähig ist und gut ausgelastet. Ich sehe Infineon Dresden als einen starken und zukunftssicheren Standort.

Eine Mitarbeiterin veredelt an dieser 35PE-Anlage im Technologiezentrum Dresden GaAs-Wafer im Hochvakuum zu GaAs-Leistungshalbleitern. Foto: 35PE/Kristin SchmidtEine Mitarbeiterin veredelt an dieser 35PE-Anlage im Technologiezentrum Dresden GaAs-Wafer im Hochvakuum zu GaAs-Leistungshalbleitern. Foto: 35PE/Kristin Schmidt

Fabrik für hochspannende Chips startet in Dresden

Firma „3-5 Power Electronics“ produziert Gallium-Arsenid-Halbleiter für Elektroautos und Solarkraftwerke Dresden, 11. April 2018. Das Unternehmen „3-5 Power Electronics“ (35PE) hat heute eine Mini-Fabrik für Hochspannungs-Spezialchips im Technologiezentrum Dresden offiziell eingeweiht. Dabei handelt es sich um sogenannte Leistungs-Halbleiter, die aus Gallium-Arsen-Verbindungen (GaA) statt aus dem sonst in Computerchips üblichen Silizium bestehen. Diese elektronischen Bauteile vertragen sehr hohe Spannungen und Stromstärken, wie sie zum Beispiel in Elektroautos, Batterie-Schnellladestationen, Motorsteuerungen, Solar- und Windkraftwerken oder auch in Notstrom-Batterien (USVs) für Rechenzentren auftreten. Laut 35PE-Geschäftsführer Gerhard Bolenz steckt dahinter eine weltweit einzigartige Fertigungstechnologie im Hochvakuum, die die Gründer in den vergangenen fünf Jahren selbst entwickelt haben.

Harald_Binder ist der neue Chef von Siltectra Dresden. Foto: Siltectra

Chipscheiben-Spaltfirma Siltectra Dresden unter neuer Führung

Harald Binder löst Wolfram Drescher ab – neue Prototypenfabrik soll im Herbst 2017 in Dresden online gehen Dresden, 8. Juni 2017. Das Dresdner Hightech-Unternehmen „Siltectra“ steht unter neuer Führung: Der Physiker Harald Binder hat zum 1. Juni 2017 den bisherigen Chef Wolfram Drescher abgelöst. Binder soll die von Siltectra entwickelte innovative Spalt-Technologie für Computerchip-Scheiben (Wafer) industriereif machen. Außerdem soll er eine neue Prototypen-Fabrik im Technopark Dresden-Nord aufbauen. Der bisherige Geschäftsführer Drescher wechselt auf eigenen Wunsch in den Beirat des Unternehmens.

Die 300-mm-Scheiben, die Infineon für seine neuen Leistungs-Halbleiter verwendet, sind so dünn, dass sie biegsam werden. Foto: Infineon

Infineon vervierfacht bis 2017 Kapazität im 300-mm-Chipwerk Dresden

Grund: Nachfrage für Leistungs-Halbleiter steigt Dresden, 17. Juli 2015. Das 300-mm-Spezialchipwerk für Leistungs-Halbleiter von Infineon Dresden füllt sich nun doch: Das Unternehmen sei derzeit dabei, die Produktionskapazitäten dort zu verdoppeln, teilte Helmut Warnecke, einer der beiden Geschäftsführer von Infineon Dresden, auf Oiger-Nachfrage mit. Eine weitere Kapazitätsverdoppelung sei bis zum Jahr 2017 vorgesehen. Dann werde das Werk auf bis zu 4000 Waferstarts kommen. Es sei deutlich geworden, dass die Nachfrage für Leistungshalbleiter steige, erklärte Warnecke.

Leistungshalbleiter werden auf süperdünnen Wafern hergestellt. Abb.: Infineon

Leistungselektronik wird Fokusthema auf Chipmesse SEMICON in Dresden

Dresden, 9. Juli 2015. Angesichts der wachsenden Bedeutung von Leistungs-Chips für die Energiewende, die Automobil- und Konsumgüterindustrie werden Elektronikbausteine, die besonders starke Ströme und hohe Spannungen vertragen, ein Fokusthema auf der diesjährigen Halbleiter-Konferenzmesse „SEMICON Europe“ Anfang Oktober 2015 in Dresden sein. Geplant ist eine Bei-Konferenz über „Power Electronics“, wie die Veranstalter heute angekündigt haben.

Abb.: International Rectifier

Infineon hat US-Chipfirma Rectifier übernommen

Kartellbehörden und Aktionäre gaben Okay für Milliarden-Kauf München/El Segundo/Dresden, 13. Januar 2015: Infineon hat heute den rund drei Milliarden Dollar (ca. 2,54 Mrd. €) Kauf der amerikanischen Leistungshalbleiter-Firma „International Rectifier“ abgeschlossen. Das teilte der deutsche Chipkonzern heute in München mit. Das Unternehmen hatte die Übernahme bereits im August 2014 angekündigt, danach aber erst noch das Okay der Kartellbehörden und der Rectifier-Aktionäre abwarten müssen.

Abb.: International Rectifier

Infineon kauft US-Chipfirma „International Rectifier“

Milliarden-Deal soll Leistungs-Halbleiter-Sparte stärken Neubiberg/El Segundo, 20. August 2014: Kaum konsolidiert, geht Infineon auch schon auf eine milliardenteure Einkaufstour: Der deutsche Chip-Konzern kauft die auf Leistungshalbleiter spezialisierte US-Firma „International Rectifier“. Wie Infineon-Boss Reinhard Ploss heute in Neubiberg mitteilte, kostet die – teilweise kreditfinanzierte – Übernahme die Deutschen rund drei Milliarden Dollar (2,26 Milliarden Euro) kosten.

Kohlenstoff-Chips sollen die Stromwandler in Solaranlagen kleiner und sparsamer machen. Foto: NeuLand/Infineon

Infineon arbeitet an Stromspar-Chips aus Kohlenstoff

„NeuLand“-Forscher setzen auf Siliziumkarbid und Galliumnitrid Neubiberg, 23. Juni 2014: Künftige Kohlenstoff-Leistungshalbleiter werden nur noch halb so viel Energie verbrauchen wie herkömmliche Elektronik-Chips, die ganz aus Silizium hergestellt sind. Das hat das bundesgeförderte Industrieforschungs-Projekt „NeuLand“ ergeben. Dieses Projekt hat nichts mit dem Aufbruch der Kanzlerin ins Internet zu tun, sondern widmet sich unter Federführung des deutschen Mikroelektronik-Konzerns „Infineon“ neuartigen Leistungs-Halbleitern, die aus Silizium-Karbid (SiC) beziehungsweise Galliumnitrid auf Siliziumscheiben (GaN on Si) bestehen.

Leistungshalbleiter werden auf süperdünnen Wafern hergestellt. Abb.: Infineon

Erst 200 Jobs im neuen Starkstromchip-Werk von Infineon Dresden

Ursprünglich hatten Konzern und Land Sachsen 250 Arbeitsplätze vereinbart Dresden, 12. Februar 2014: In der neuen 300-Millimeter-Fabrik für Leistungshalbleiter von Infineon Dresden sind bisher erst knapp 200 Mitarbeiter beschäftigt und damit etwa 50 weniger als vom Unternehmen vor drei Jahren versprochen. Das hat Helmut Warnecke, Geschäftsführer von Infineon Dresden, auf Nachfrage eingeräumt. Hinzu kommt, dass es sich nicht durchweg um neue Jobs handelt, sondern teilweise um Beschäftigte, die aus den älteren 200-mm-Fabs nebenan versetzt wurden.

Infineon baut Chipfabrik-Kapazitäten in Dresden aus

Dresden, 30. Juli 2013: Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon baut seine Dresdner Fabriken aus – wenn auch moderater als in den Vorjahren. Das kündigte Standortsprecherin Diana Heuer an. Sie wollte zwar keine Investitionssumme nennen. Es dürfte sich aber vermutlich um einen ein- bis zweistelligen Millionenbetrag handeln. In den vergangenen fünf Jahren hatte Infineon bereits über 200 Millionen Euro in solche Erweiterungen in Dresden investiert, es handelt sich mittlerweile um die neunte Ausbaustufe.

Gedränge um Dresdner Ionenkanone

International gefragt: Helmholtz-Tochter veredelt Chips und Prothesen Dresden, 24. Mai 2013: Mit seinen Ionenkanonen, die international ihresgleichen suchen, lockt ein junges Dresdner Helmholtz-Unternehmen Technologiekunden aus aller Welt an. Unter den 60 Klienten aus der Wirtschaft, die die „HZDR Innovation GmbH“ in den anderthalb Jahren sein ihrer Gründung gewonnen hat, sind führende Mikroelektronik-Konzerne aus Übersee, aber auch Maschinenbauer, Medizintechnik-Firmen und Turbinenexperten, wie Geschäftsführer Andreas Kolitsch sagt.

78 Millionen Euro teures Infineon-Projekt tunt Leistungs-Halbleiter für Autos und Solarkraftwerke

Villach/Dresden, 26. April 2013: Infineon will seine neue Leistungshalbleiter-Technologie auf dünnen Siliziumscheiben (Wafer) in einem mit 74 Millionen dotierten Forschungsprogramm weiterentwickeln. Nach Unternehmensangaben handelt es sich bei „Enhanced Power Pilot Line“ (EPPL) um „eines der größten europäischen Forschungsprojekte der kommenden Jahre“. Beteiligt sind insgesamt 32 Firmen und Institute, darunter auch die TU Dresden und Infineon Dresden. Die Federführung liegt bei Infineons österreichischer Forschungsfabrik in Villach.

300-mm-Werk von Infineon Dresden startet Produktion von Leistungshalbleitern

Konzernchef sieht zwei bis fünf Jahre Vorsprung zur Konkurrenz Dresden/Villach, 19. Februar 2013: In der Dresdner Infineonfabrik beginnt im März die Produktion marktreifer Leistungshalbleiter auf 300 Millimeter großen und besonders dünnen Siliziumscheiben (Wafern). Solche Spezialchips sollen zum Beispiel den Stromverbrauch von Rechenzentren senken, die Reichweite von Elektroautos steigern sowie ICE-Züge, Windkraftparks und Solaranlagen effektiver machen. Das haben Konzernchef Reinhard Ploss und Infineon-Dresden-Geschäftsführer Pantelis Haidas gestern im österreichischen Villach angekündigt, wo die innovative Technologie entwickelt wurde und eine kleinere Serienproduktion bereits begonnen hat. „Wir sind jetzt lieferfähig“, betonte Ploss. Dies verschaffe dem Unternehmen einen „veritablen Wettbewerbsvorteil“ gegenüber der Konkurrenz, die noch nicht einmal damit begonnen habe, Leistungshalbleiter auf 300-mm-Wafern zu erproben. Er bezifferte den Vorsprung Infineons auf etwa zwei bis fünf Jahre.