Alle Artikel mit dem Schlagwort: Power Semiconductor

Leistungshalbleiter werden auf süperdünnen Wafern hergestellt. Abb.: Infineon

Erst 200 Jobs im neuen Starkstromchip-Werk von Infineon Dresden

Ursprünglich hatten Konzern und Land Sachsen 250 Arbeitsplätze vereinbart Dresden, 12. Februar 2014: In der neuen 300-Millimeter-Fabrik für Leistungshalbleiter von Infineon Dresden sind bisher erst knapp 200 Mitarbeiter beschäftigt und damit etwa 50 weniger als vom Unternehmen vor drei Jahren versprochen. Das hat Helmut Warnecke, Geschäftsführer von Infineon Dresden, auf Nachfrage eingeräumt. Hinzu kommt, dass es sich nicht durchweg um neue Jobs handelt, sondern teilweise um Beschäftigte, die aus den älteren 200-mm-Fabs nebenan versetzt wurden.

Infineon baut Chipfabrik-Kapazitäten in Dresden aus

Dresden, 30. Juli 2013: Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon baut seine Dresdner Fabriken aus – wenn auch moderater als in den Vorjahren. Das kündigte Standortsprecherin Diana Heuer an. Sie wollte zwar keine Investitionssumme nennen. Es dürfte sich aber vermutlich um einen ein- bis zweistelligen Millionenbetrag handeln. In den vergangenen fünf Jahren hatte Infineon bereits über 200 Millionen Euro in solche Erweiterungen in Dresden investiert, es handelt sich mittlerweile um die neunte Ausbaustufe.

Gedränge um Dresdner Ionenkanone

International gefragt: Helmholtz-Tochter veredelt Chips und Prothesen Dresden, 24. Mai 2013: Mit seinen Ionenkanonen, die international ihresgleichen suchen, lockt ein junges Dresdner Helmholtz-Unternehmen Technologiekunden aus aller Welt an. Unter den 60 Klienten aus der Wirtschaft, die die „HZDR Innovation GmbH“ in den anderthalb Jahren sein ihrer Gründung gewonnen hat, sind führende Mikroelektronik-Konzerne aus Übersee, aber auch Maschinenbauer, Medizintechnik-Firmen und Turbinenexperten, wie Geschäftsführer Andreas Kolitsch sagt.

78 Millionen Euro teures Infineon-Projekt tunt Leistungs-Halbleiter für Autos und Solarkraftwerke

Villach/Dresden, 26. April 2013: Infineon will seine neue Leistungshalbleiter-Technologie auf dünnen Siliziumscheiben (Wafer) in einem mit 74 Millionen dotierten Forschungsprogramm weiterentwickeln. Nach Unternehmensangaben handelt es sich bei „Enhanced Power Pilot Line“ (EPPL) um „eines der größten europäischen Forschungsprojekte der kommenden Jahre“. Beteiligt sind insgesamt 32 Firmen und Institute, darunter auch die TU Dresden und Infineon Dresden. Die Federführung liegt bei Infineons österreichischer Forschungsfabrik in Villach.

300-mm-Werk von Infineon Dresden startet Produktion von Leistungshalbleitern

Konzernchef sieht zwei bis fünf Jahre Vorsprung zur Konkurrenz Dresden/Villach, 19. Februar 2013: In der Dresdner Infineonfabrik beginnt im März die Produktion marktreifer Leistungshalbleiter auf 300 Millimeter großen und besonders dünnen Siliziumscheiben (Wafern). Solche Spezialchips sollen zum Beispiel den Stromverbrauch von Rechenzentren senken, die Reichweite von Elektroautos steigern sowie ICE-Züge, Windkraftparks und Solaranlagen effektiver machen. Das haben Konzernchef Reinhard Ploss und Infineon-Dresden-Geschäftsführer Pantelis Haidas gestern im österreichischen Villach angekündigt, wo die innovative Technologie entwickelt wurde und eine kleinere Serienproduktion bereits begonnen hat. „Wir sind jetzt lieferfähig“, betonte Ploss. Dies verschaffe dem Unternehmen einen „veritablen Wettbewerbsvorteil“ gegenüber der Konkurrenz, die noch nicht einmal damit begonnen habe, Leistungshalbleiter auf 300-mm-Wafern zu erproben. Er bezifferte den Vorsprung Infineons auf etwa zwei bis fünf Jahre.

SEMI-Preis für Infineons Leistungs-Halbleiter CoolMOS

Dresden, 12. Oktober 2012: Der Halbleiterverband SEMI hat Infineon für seine Vorreiterrolle in der Entwicklung von Leistungs-Halbleitern zur “SEMICON” in Dresden ausgezeichnet. Mit dem “SEMI Award 2012” würdigte der Verband vor allem Infineons Technologie “CoolMOS”, die Spannungen von mehreren Hundert Volt und Stromstärken bis zu 100 Ampere aushält und unter anderem zur Steuerung von Stromversorgungsanlagen, Leuchten und Notebook-Adaptern eingesetzt wird. hw

Taiwans LED-Primus Epistar steigt auf Galliumnitrid-Wafer aus Dresden um

Dresden/Hsinchu, 11. Oktoer 2012: Taiwans größer Hersteller von Leuchdioden (LEDs) ist von Spahir-Glas auf Spezial-Wafer der Dresdner Firma “Azzurro” umgestiegen, die mit Gallium-Nitrid beschichtet sind. Wie Azzurro mitteilte, sei der Umstieg in einer Rekordzeit von nur 16 Wochen gelungen. Von der Gallium-Nitrid-Technik erhofft sich Epistar deutlich leistungsfähige LEDs als in Silizium-Bauweise.

Infineons Chipwerke in Dresden voll ausgelastet

Dresden, 10. Oktober 2012: Die Dresdner Infineon-Werke könnten bei dem für Mitte November angekündigten Sparprogramm der Konzernleitung möglicherweise mit einem blauen Auge davon kommen: Der Standort werde natürlich seinen Beitrag leisten müssen, doch die Auftragslage sei sehr gut, betonten die Dresdner Geschäftsführer Pantelis Heidas und Helmut Warnecke. Die hiesigen Logikchip-Fabriken seien voll ausgelastet und daran werde sich wenigstens in den nächsten Monaten kaum etwas ändern.

Sachsen fördert Galliumnitrid-Halbleiterforschung in Dresden mit 3,5 Millionen Euro

Dresden, 24.7.2012: Der Freistaat Sachsen und die EU fördern die Dresdner Entwicklung von Spezial-Halbleitern mit über 3,5 Millionen Euro. Dabei handelt es sich um 200 Millimeter große Siliziumscheiben (Wafer), die mit einer Gallium-Stickstoff-Verbindung (GaN) beschichtet werden, wie sie für die Produktion von Leuchtdioden und Leistungselektronik benötigt werden. Einen Förderbescheid über 2,6 Millionen Euro hat Landesforschungs-Ministerin Sabine von Schorlemer (parteilos) heute an die „Azzurro“Fabrik in Dresden übergeben. Eine weitere Tranche über 930.000 Euro hat sie bereits dem Projektpartner „Namlab“ – einem Elektronikinstitut der TU Dresden – zugesagt.