Forschung, News, zAufi

Leibniz-Forscher suchen in Dresden nach lernfähiger Elektronik

Dr. Aliaksei Charnukha. Foto: IFW Dresden

Dr. Aliaksei Charnukha. Foto: IFW Dresden

Neue Nachwuchsforschergruppe um Dr. Aliaksei Charnukha gegründet

Dresden, 15. August 2018. Eine neue Forschergruppe um Dr. Aliaksei Charnukha begibt sich am Leibniz-Institut für Festkörperforschung und Materialforschung (IFW) in Dresden auf die Suche nach einer neuen Elektronikgeneration, die ihre eigene Vergangenheit kennt. Daraus konstruierte Computer könnten dadurch lernfähig werden.

DFG bewilligt 2 Millionen Euro

Bis dahin ist es allerdings ein weiter Weg. Zuallererst müssen die Forscher neuartige Analyse-Instrumente entwickeln, um in die Quantenmaterialien hineinzuschauen, aus denen später einmal solche elektronischen Schaltungen gebaut werden könnten. Die „Deutsche Forschungsgemeinschaft“ (DFG) hat Dr. Charnukha daher nun aus dem „Emmy Noether“-Förderprogramm rund zwei Millionen Euro für die nächsten fünf Jahre bewilligt. Damit kann er am IFW eine Nachwuchsforschungsgruppe für „Terrahertz-Nahfeldmikroskopie“ einrichten und ausrüsten.

Junge Wissenschaftler wollen Nahfeld- und Terahertz-Analysen kombinieren

Insbesondere will Aliaksei Charnukha die optische Nahfeldspektroskopie mit Terrahertz-Spektroskopie bei sehr tiefen Temperaturen nahe am absoluten Temperatur-Nullpunkt kombinieren. Die Nahfeldspektroskopie verwendet kleine Sonden nahe am zu untersuchenden Objekt, um es ganz genau untersuchen zu können – besser als mit klassischen Lichtmikroskopen. Terahertz-Strahlung wiederum hat eine extrem hohe Frequenz und wird unter anderem in den sogenannten „Nackt-Scannern“ im Flughafen eingesetzt. Sie kann Kleinigkeiten sichtbar machen, die andere Durchleuchtungsverfahren nicht erfassen – und auch sehr schnelle Prozesse verfolgen.

Komplex gekoppelte Quantenmaterialien iom Fokus

Die Nachwuchsforscher wollen die neue Apparatur dann einsetzen, um bestimmte Quantenmaterialien zu analysieren, in denen die Teilchen auf besonders komplexe Art und Weise miteinander gekoppelt sind. „Technologisch besonders interessant sind dabei hysteretische elektronische Eigenschaften, die von gleichzeitig bestehenden langlebigen Elektronenzuständen stammen und beliebig eingestellt und geschaltet werden können: das entscheidende Merkmal des Transistors der Zukunft“, heißt es vom IFW.

Autor: Heiko Weckbrodt