Taipeh, 17.7.11:Kürzlich noch hatten taiwanesische Quellen, hinter denen möglicherweise der Außenhandels-Entwicklungsrat (External Trade Development Council) steckt, recht großspurig verkündet, Taiwans Vorzeige-Chipschmiede TSMC werde bereits Ende 2011 – und damit früher als Intel – die ersten 3D-Chips ausliefern (Der Oiger berichtete). Ein näherer Blick auf die zugrundeliegenden TSMC-Bekanntmachungen zeigt jedoch: Von einer echten 3D-Konstruktion im Transistoraufbau wie bei Intel kann bei den asiatischen Halbleitern keine Rede sein. TSMC selbst spricht von „2,5-D-Schaltkreisen“, was fast wie das legendäre „ein bisschen schwanger“ anmutet. Tatsächlich will der Chip-Auftragsfertiger bei seinen 20-Nanometer-Halbleiter die sogannte Silizium-Durchkontaktierung verwenden (“through-silicon via” = TSV), bei der Schaltkreise schon in der Fertigung „übereinandergestapelt“ aufgebracht und in der dritten Dimension durch die Isolierschichten miteinander vernetzt werden. Dieses Frontend-Verfahren ist zwar noch relativ jung, aber vom grundlegend neuem Schalteraufbau von Intels Trigate-Transistoren noch ein ganzes Sück entfernt. Das Ganze erinnert ein wenig an den sowjetischen „Megabit“-Chip der 80er Jahre, bei dem die Genossen das „unwesentliche“ Detail zu erwähnen vergaßen, dass es sich nur um vier zusammengeschaltete 256-KB-Schaltkreise handelte. hw