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3D-Chips und hauchdünne Atomlagen im Fokus

Licht an – Molekül an: Ein Lichtstrahl schaltet erstmals ein einzelnes Molekül in einen geschlossenen Zustand (rote Atome), sodass Strom fließen kann. Foto: HZDR/Pfefferkorn

Foto: HZDR/Pfefferkorn

Konferenz „ALD 2016“ mit starker Dresdner Beteiligung

Dublin, 21. August 2016. Wie immer dünnere Atomlagen in Computerchips und anderen Systemen aufgebracht und dabei neue Materialien verwendet werden können, darüber haben über 800 internationale Experten aus Wissenschaft und Industrie dieser Tage in Dublin diskutiert. Die „ALD 2016“ ist die größte Konferenz im Technologiefeld der Atomlagen-Abscheidung (ALD = „Atomic Layer Deposition“). Die Leitung hatten diesmal Dr. Simon Elliott vom irischen „Tyndall National Institute“ und Dr. Jonas Sundqvist von der schwedischen „Lund University“ und vom Dresdner Fraunhofer IKTS übernommen.

Organische und anorganische Moleküle kombinieren

Viele Beiträge kamen auf der Konferenz auch aus Dresden. Die sächsischen Forscher berichteten beispielsweise darüber, wie sich auch organische und anorganische Moleküle in solchen dünnen Schichten kombinieren, wie sich 3D-Chips oder Nanodrähte erzeugen oder sich Karbonmoleküle in Karbon einbringen lassen.

Forschungsverbund „ALD Lab Saxony“ in Sachsen

Dresden gilt als ein bedeutender Technologie-Standort in Europa. Unter dem Dach des Mikroelektronik-Forschungsverbundes „Cool Silicon“ haben sich im „ALD Lab Saxony“ elf Institute von Fraunhofer, der Technischen Universitäten Dresden, Chemnitz und Freiberg sowie der FH Zwickau zusammengeschlossen. Sie wollen in diesem Laborverbund die Atomlagen-Abscheidung technologisch weiterentwickeln. hw

Mitglieder im ALD Lab Saxony:

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