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Dr. Gregor Hlawacek experimentiert an einem Helium-Ionen-Mikroskop im HZDR. Foto: A. Wirsig, HZDR

Galliumoxid soll bessere Akkus und hochspannende Chips ermöglichen

Veröffentlicht von Heiko Weckbrodt

Mit Ionenbeschuss will Helmholtz Dresden den widerspenstigen Halbleiter kontrollieren Dresden/Oslo, 15. Juli 2022. An einem neuen Material für neue Energiespeicher und Leistungselektronik arbeitet derzeit ein Team um Dr. Gregor Hlawacek vom Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR) gemeinsam mit den Unis Oslo und Helsiniki: Aus Galliumoxid hergestellte Akkus sollen effizientere Akkus für die Elektroautos der Zukunft ermöglichen, aber auch hochspannende Chips für bessere Solaranlagen und Windkraftwerken ermöglichen – und dabei weniger Energie verplempern. Das geht aus Mitteilungen des HZDR und der Akademie von Finnland hervor.

Blick in eine Experimentalkammer im ELBE-Komplex des Forschungszentrums Dresden-Rossendorf, an die bereits der Draco-Laser angeschlossen ist. Foto: Heiko Weckbrodt, "Creative Commons"-Lizenz 3.0 (freie Nutzung unter Namensangabe)

Neues Material für hochspannende Chips

Veröffentlicht von Heiko Weckbrodt

Helmholtz Dresden spickt Galliumoxid mit Wasserstoff Dresden, 12. November 2020. Das Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR) hat gemeinsam mit Instituten aus Ohio, Berkeley und Los Alamos ein neues Material entwickelt, das sich für besonders billige und sparsame Leistungselektronik für Elektroautos, Hochgeschwindigkeitszüge und Solarkraftwerke eignet. Dafür haben die Forscher und Forscherinnen eine spezielle Galliumoxid-Art mit Wasserstoff-Atomen beschossen, teilte das HZDR heute mit. Durch diese „Dotierung“ kann dieses Halbleitermaterial nun mit schwachen Steuersignale auch sehr starke Ströme und hohe Spannungen umschalten.