Dresden/Fort Lauderdale, 24. Januar 2023. Die Gallium-Arsenid-Halbleiter (GaAs) von „3-5 Power Electronics“ (35PE) könnten einen „Quantensprung in der Leistungselektronik“ auslösen. Das haben die 35PE-Gründer eingeschätzt und berufen sich dabei auf das Fachjournal „Semiconductor Review“ aus Fort Lauderdale in Florida.

In puncto Leistung, Zuverlässigkeit, Energieeffizienz und wirtschaftlicher Fertigung setzen demnach die Verbindungshalbleiter von 35PE Maßstäbe. Dem jungen Unternehmen, das im Technologiezentrum Dresden seinen Entwicklungs- und Produktionsstandort aufgebaut hat, sei es gelungen, das weit verbreitete Halbleitermaterial GaAs erstmals für Anwendungen in der Leistungselektronik kontrolliert einzusetzen, heißt es in der Mitteilung. Mögliche Einsatzfelder für ihre Dioden sehen die Gründer zum Beispiel in Ladesäulen, Elektroautos und Solar- oder Windparks. Die Gallium-Arsenid-Leistungselektronik könnte sich in Leistung und Kosten als Kompromiss zwischen Silizium- und Silizium-Kohlenstoff-Lösungen etablieren.

Quelle: 35PE

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