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Infineon-Chef: Galliumnitrid löst Silizium in nächster Zukunft nicht ab

Für Leistungshalbleiter setzt Infineon vorerst auf Silizium-Dünnwafer mit bis zu 300 mm Durchmesser. ber auch GaN-Schichtwafer werden in Villach erforscht. Foto: Infineon

Für Leistungshalbleiter setzt Infineon vorerst auf Silizium-Dünnwafer mit bis zu 300 mm Durchmesser. ber auch GaN-Schichtwafer werden in Villach erforscht. Foto: Infineon

Neubiberg/Villach/Dresden, 25. Februar 2012. Gallium-Nitrid wird Silizium als Grundmaterial für die Produktion von Leistungs-Halbleitern in nächster Zukunft nicht ablösen. Das hat Infineon-Konzernchef Reinhard Ploss prognostiziert. Massiv-Scheiben (Wafer) aus dieser Verbindung seien schlichtweg unbezahlbar – und dies gelte wohl auch für die nächsten Jahre so.

Ein Galliumnitrid-beschichterer Silizium-Wafer von Azzurro. Abb. (3): Azzurro

Ein Galliumnitrid-beschichterer Silizium-Wafer von Azzurro. Abb.: Azzurro

Chancen für Galliumnitrid-Schichtwafer

Chancen sieht Ploss hingegen für Silizium-Wafer mit Gallium-Nitrid-Beschichtung. Solche Scheiben werden zum Beispiel von Azzurro Dresden hergestellt. Auch Infineon selbst forscht am Einsatz GaN-beschichteter Wafer, vor allem in seiner Forschungsfabrik in Villach. Denn die Moleküle aus Gallium und Stickstoff können höhere Spannungen und Stromstärken aushalten als pures Silizium. Ihr Einsatz ist unter anderem für die Leuchtdiodenproduktion, aber auch für Spezialschaltkreise in der Energietechnik von Interesse.

Eine der Herausforderungen dabei ist, die unterschiedlich großen Siliziumatome und Gallium-Stickstoff-Verbindungen so flach zu stapeln, dass sie in den großen Mikroelektronik-Fabriken mit Standardanlagen weiterverarbeitet werden können. Am Einsatz von reinen GaN-Scheiben wird unter anderem bei FCM Freiberg und im Namlab der TU Dresden geforscht. Heiko Weckbrodt

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