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Für Leistungshalbleiter setzt Infineon vorerst auf Silizium-Dünnwafer mit bis zu 300 mm Durchmesser. ber auch GaN-Schichtwafer werden in Villach erforscht. Foto: Infineon

Für Leistungshalbleiter setzt Infineon vorerst auf Silizium-Dünnwafer mit bis zu 300 mm Durchmesser. ber auch GaN-Schichtwafer werden in Villach erforscht. Foto: Infineon

Heiko Weckbrodt

Heiko Weckbrodt hat Geschichte studiert, arbeitet jetzt in Dresden als Wirtschafts- und Wissenschaftsjournalist und ist Chefredakteur und Admin des Nachrichtenportals Oiger. Er ist auch auf Facebook, Twitter und Google+ zu finden.

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