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Infineon_Power300_Wafer_2

Für Leistungshalbleiter setzt Infineon vorerst auf Silizium-Dünnwafer mit bis zu 300 mm Durchmesser. ber auch GaN-Schichtwafer werden in Villach erforscht. Foto: Infineon

Für Leistungshalbleiter setzt Infineon vorerst auf Silizium-Dünnwafer mit bis zu 300 mm Durchmesser. ber auch GaN-Schichtwafer werden in Villach erforscht. Foto: Infineon

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