Alle Artikel mit dem Schlagwort: GaN

Ein Galliumnitrid-beschichterer Silizium-Wafer von Azzurro. Abb. (3): Azzurro

Sachsens Hightech-Branche drängelt sich um EU-Milliarden

ECSEL-Überzeichnung absehbar – starke sächsische Beteiligung Dresden, 5. Oktober 2014: Für das „ECSEL“-Hightech-Programm zeichnen sich eine Überzeichnung und ein starkes Gedrängel sächsischer Hightech-Firmen und -Institute um die Fördertöpfe ab. Laut Angaben des Wirtschaftsministeriums in Dresden wollen bei ECSEL „sächsische Antragsteller in 22 Projekten mit 54 Projektteilen aktiv werden“. Inoffiziellen Angaben zufolge sind dabei über 90 Firmen und Institute aus dem Freistaat – teils mit auswärtigen Partnern – am Start.

Kohlenstoff-Chips sollen die Stromwandler in Solaranlagen kleiner und sparsamer machen. Foto: NeuLand/Infineon

Infineon arbeitet an Stromspar-Chips aus Kohlenstoff

„NeuLand“-Forscher setzen auf Siliziumkarbid und Galliumnitrid Neubiberg, 23. Juni 2014: Künftige Kohlenstoff-Leistungshalbleiter werden nur noch halb so viel Energie verbrauchen wie herkömmliche Elektronik-Chips, die ganz aus Silizium hergestellt sind. Das hat das bundesgeförderte Industrieforschungs-Projekt „NeuLand“ ergeben. Dieses Projekt hat nichts mit dem Aufbruch der Kanzlerin ins Internet zu tun, sondern widmet sich unter Federführung des deutschen Mikroelektronik-Konzerns „Infineon“ neuartigen Leistungs-Halbleitern, die aus Silizium-Karbid (SiC) beziehungsweise Galliumnitrid auf Siliziumscheiben (GaN on Si) bestehen.

Ein Galliumnitrid-beschichterer Silizium-Wafer von Azzurro. Abb. (3): Azzurro

Dresdner Elektronikfirma „Azzurro“ pleite

Auf dem Weg zu Galliumnitrid-beschichteten Wafern ging Fabrik das Geld aus Dresden, 6. Mai 2014: Die auf Spezial-Chipscheiben mit Galliumnitrid-Beschichtung spezialisierte Dresdner Hightech-Firma „Azzurro“ ist pleite. Das hat Insolvenzverwalter Gunter Tarkotta auf Anfrage bestätigt. Dem Unternehmen sei es nicht gelungen, seine innovative Technik bis zur Marktreife zu bringen und damit Geld zu verdienen, schätzte der Rechtsanwalt ein. „Die Entwicklung ist steckengeblieben. Man fand keine neuen Geldgeber mehr, um sie zu Ende zu bringen.“ Der größte Teil der 42-köpfigen Belegschaft an der Breitscheidstraße sei freigestellt und als arbeitslos gemeldet. Geblieben sei nur eine kleine Abwicklungsmannschaft von sieben Mitarbeitern. Land und Stadt hatten den Fabrikbau noch 2012 als einen großen Ansiedlungserfolg für den Mikroelektronikstandort Dresden gefeiert und gefördert.

Sachsen wollen Galliumnitrid-Chipscheiben entwickeln

Neues Forschungslabor in Freiberg eröffnet Freiberg, 2. Oktober 2013: Im sächsischen Freiberg hat Landes-Forschungsministerin Sabine von Schorlemer (parteilos) heute ein Forschungszentrum offiziell eröffnet, das echte Gallium-Nitrid-Scheiben (GaN) für Leistungshalbleiter und Laser-Dioden entwickeln soll. Der Freistaat hatte für die Erstausrüstung 1,6 Millionen Euro gegeben. An den Forschungen im sächsische GaN-Zentrum, die aus Fonds der EU, des Landes Sachsens und des Bundesforschungsministeriums gefördert werden, beteiligen sich das „Namlab“ der TU Dresden, die Bergakademie Freiberg und die „Freiberger Compound Materials GmbH“ (FCM).

Leistungselektronik: Namlab will in Freiberg Gallium-Kristalle züchten

TU Dresden und FCM gründen gemeinsames Labor Freiberg/Dresden, 26. September 2013: Das „Namlab“ der TU Dresden eröffnet am 2. Oktober 2013 im sächsischen Freiberg ein neues Forschungslabor, in dem die Elektronik-Forscher gemeinsam mit dem Unternehmen „Freiberger Compound Materials GmbH“ (FCM) Gallium-Nitrid-Einkristalle (GaN) als Alternative zum klassischen Chip-Silizium züchten wollen. Die Namab-Außenstelle ist als Teil des „Galliumnitrid-Zentrums Sachsen“ gedacht, das erforschen soll, wie dieses bisher schwer verarbeitbare und teure Halbleitermaterial für die Massenproduktion von Leistungselektronik verwendet werden kann.

Infineon-Chef: Galliumnitrid löst Silizium in nächster Zukunft nicht ab

Neubiberg/Villach/Dresden, 25. Februar 2012. Gallium-Nitrid wird Silizium als Grundmaterial für die Produktion von Leistungs-Halbleitern in nächster Zukunft nicht ablösen. Das hat Infineon-Konzernchef Reinhard Ploss prognostiziert. Massiv-Scheiben (Wafer) aus dieser Verbindung seien schlichtweg unbezahlbar – und dies gelte wohl auch für die nächsten Jahre so.

Taiwans LED-Primus Epistar steigt auf Galliumnitrid-Wafer aus Dresden um

Dresden/Hsinchu, 11. Oktoer 2012: Taiwans größer Hersteller von Leuchdioden (LEDs) ist von Spahir-Glas auf Spezial-Wafer der Dresdner Firma “Azzurro” umgestiegen, die mit Gallium-Nitrid beschichtet sind. Wie Azzurro mitteilte, sei der Umstieg in einer Rekordzeit von nur 16 Wochen gelungen. Von der Gallium-Nitrid-Technik erhofft sich Epistar deutlich leistungsfähige LEDs als in Silizium-Bauweise.

Gallium-Nitrid-Chiptechnik: Sachsen fördert 200-mm-Wafer-Entwicklung bei Azzurro

Dresden, 19.7.2012: Der Freistaat Sachsen wird die Entwicklung von Galliumnitrid-beschichteten 200-Millimeter-Wafern für Leistungselektronik und Leuchtdioden in der Halbleiterfirma “Azzurro” mit Fördermitteln unterstützen. Einen entsprechenden Förderbescheid will die sächsische Wissenschaftsministerin Sabine von Schorlemer (parteilos) in der kommenden Woche an die Dresdner Azzurro-Fabrik übergeben, die die neue Technologie gemeinsam mit dem Nanoelektronik-Institut “Namlab” der TU Dresden entwickeln will.

Dresdner Azzurro-Halbleiterfabrik startet im Sommer 2012 Produktion von GaN-Wafern

Belegschaft soll sich bis 2015 auf 200 Mitarbeiter verfünffachen Dresden, 26.3.2012: Das Halbleiterunternehmen „Azzurro Semiconductors AG“ will im Sommer 2012 seine Dresdner Fabrik für Gallium-Nitrid-Chipscheiben (Wafer) offiziell in Betrieb nehmen und die Belegschaft dort mittelfristig verfünffachen. Das kündigte Azzurro-Vizepräsident Alexander Lösing heute in der sächsischen Landeshauptstadt an.

Zukunftsmaterial: Azzurro baut in Dresden Fabrik für Gallium-Nitrid-Wafer

Dresden, 6.12.2011: Die Magdeburger Halbleiterfirma „Azzurro“ baut in Dresden eine Fabrik für innovative Siliziumscheiben (Wafer) mit Galliumnitrid-Beschichtung (GaN), wie sie für Leistungselektronik und Leuchtdioden benötigt werden. Das Unternehmen investiert über 19 Millionen Euro in dieses Projekt. Die Produktionsanlage entsteht in einer früheren Werkhalle an der Breitscheidstraße 78, die zum Reinraum umgerüstet wird. Hier sind für den Anfang 41 neue Arbeitsplätze geplant.

Zentrum für Galliumnitrid-Elektronik in Sachsen geplant

Hochspannungsmaterial soll Elektroautos mehr Reichweite verschaffen Dresden/Freiberg, 9.11.2011. Damit die europäische Industrie bei der Entwicklung von Elektroautos und anderen neuen Technologieprodukten nicht in die Abhängigkeit von asiatischen und amerikanischen Spezialchip-Zulieferern gerät, wollen die Freiberger Firma „FCM” und Forscher des Dresdner „Namlabs” eine Produktionslinie für Gallium-Nitrid-Scheiben in Freiberg aufbauen. Heute bekommen die Partner von Sachsens Wissenschaftsministerin Sabine von Schorlemer (parteilos) einen Förderbescheid über 1,9 Millionen Euro, um eine Pilotanlage zu kaufen. Die allermeisten Computerchips werden heutzutage aus Silizium gefertigt. Als Steuerelektronik für Elektroautos, Windparks und Solarkraftwerke stößt diese ausgereifte Technologie allerdings mehr und mehr an ihre Grenzen: Hier fließen nicht Milli-Ströme wie im PC, sondern sind Spannungen von einigen Hundert, teils über 1000 Volt zu bewältigen. Abhilfe soll da ein Verbindungshalbleiter aus den Elementen Gallium und Stickstoff bringen, der hohe Stromstärken und Spannungen aushält, aber nur wenig Verlustwärme erzeugt. Bauelemente auf dieser Basis sollen in Zukunft beispielsweise Elekroautos mehr Reichweite verschaffen, die Handy-Netze leistungsfähiger machen und viele Energie in der Wirtschaft sparen. GaN-Wafer auf freiem Markt gar nicht erhältlich Das dafür benötigte Galliumnitrid (GaN) ist jedoch …