Alle Artikel mit dem Schlagwort: IGBT

Eine Mitarbeiterin veredelt an dieser 35PE-Anlage im Technologiezentrum Dresden GaAs-Wafer im Hochvakuum zu GaAs-Leistungshalbleitern. Foto: 35PE/Kristin SchmidtEine Mitarbeiterin veredelt an dieser 35PE-Anlage im Technologiezentrum Dresden GaAs-Wafer im Hochvakuum zu GaAs-Leistungshalbleitern. Foto: 35PE/Kristin Schmidt

Fabrik für hochspannende Chips startet in Dresden

Firma „3-5 Power Electronics“ produziert Gallium-Arsenid-Halbleiter für Elektroautos und Solarkraftwerke Dresden, 11. April 2018. Das Unternehmen „3-5 Power Electronics“ (35PE) hat heute eine Mini-Fabrik für Hochspannungs-Spezialchips im Technologiezentrum Dresden offiziell eingeweiht. Dabei handelt es sich um sogenannte Leistungs-Halbleiter, die aus Gallium-Arsen-Verbindungen (GaA) statt aus dem sonst in Computerchips üblichen Silizium bestehen. Diese elektronischen Bauteile vertragen sehr hohe Spannungen und Stromstärken, wie sie zum Beispiel in Elektroautos, Batterie-Schnellladestationen, Motorsteuerungen, Solar- und Windkraftwerken oder auch in Notstrom-Batterien (USVs) für Rechenzentren auftreten. Laut 35PE-Geschäftsführer Gerhard Bolenz steckt dahinter eine weltweit einzigartige Fertigungstechnologie im Hochvakuum, die die Gründer in den vergangenen fünf Jahren selbst entwickelt haben.

Die 300-mm-Scheiben, die Infineon für seine neuen Leistungs-Halbleiter verwendet, sind so dünn, dass sie biegsam werden. Foto: Infineon

Infineon vervierfacht bis 2017 Kapazität im 300-mm-Chipwerk Dresden

Grund: Nachfrage für Leistungs-Halbleiter steigt Dresden, 17. Juli 2015. Das 300-mm-Spezialchipwerk für Leistungs-Halbleiter von Infineon Dresden füllt sich nun doch: Das Unternehmen sei derzeit dabei, die Produktionskapazitäten dort zu verdoppeln, teilte Helmut Warnecke, einer der beiden Geschäftsführer von Infineon Dresden, auf Oiger-Nachfrage mit. Eine weitere Kapazitätsverdoppelung sei bis zum Jahr 2017 vorgesehen. Dann werde das Werk auf bis zu 4000 Waferstarts kommen. Es sei deutlich geworden, dass die Nachfrage für Leistungshalbleiter steige, erklärte Warnecke.

Beim Induktionsherd werden nur Töpfe und Pfannen erwärmt und nicht die Herdplatte. Dadurch sind diese Herde bis zu 25 % sparsamer. Foto: Infineon

Infineon: Induktionsherde werden deutlich billiger

„InduKOCH“-Technologie soll Induktionsheizer auf Preisniveau von E-Herden drücken Neubiberg/Dresden/Villach, 19. März 2014: Induktionsherde werden demnächst kaum noch mehr kosten als herkömmliche Elektroherde. Das hat der deutsche Chiphersteller “Infineon” aus Neubiberg bei München angekündigt. Möglich werde dies durch effizientere Leistungshalbleiter, die im Zuge des bundesgeförderten Projektes „InduKOCH“ von Infineon, dem Zulieferer „EGO“ und der Uni Bremen entwickelt wurden. Dadurch, so kalkuliert Infineon, könnte sich in naher Zukunft der Anteil der Haushalte mit Induktionsherd von heute 17 auf dann 30 Prozent nahezu verdoppeln. Und da Induktionsherde etwa ein Viertel weniger Strom als herkömmliche Elektroherde verbrauchen, sei ein erheblicher Beitrag zum Klimaschutz zu erwarten.

78 Millionen Euro teures Infineon-Projekt tunt Leistungs-Halbleiter für Autos und Solarkraftwerke

Villach/Dresden, 26. April 2013: Infineon will seine neue Leistungshalbleiter-Technologie auf dünnen Siliziumscheiben (Wafer) in einem mit 74 Millionen dotierten Forschungsprogramm weiterentwickeln. Nach Unternehmensangaben handelt es sich bei „Enhanced Power Pilot Line“ (EPPL) um „eines der größten europäischen Forschungsprojekte der kommenden Jahre“. Beteiligt sind insgesamt 32 Firmen und Institute, darunter auch die TU Dresden und Infineon Dresden. Die Federführung liegt bei Infineons österreichischer Forschungsfabrik in Villach.