Alle Artikel mit dem Schlagwort: Galliumnitrid

Ein Galliumnitrid-beschichterer Silizium-Wafer von Azzurro. Abb. (3): Azzurro

Sachsens Hightech-Branche drängelt sich um EU-Milliarden

ECSEL-Überzeichnung absehbar – starke sächsische Beteiligung Dresden, 5. Oktober 2014: Für das „ECSEL“-Hightech-Programm zeichnen sich eine Überzeichnung und ein starkes Gedrängel sächsischer Hightech-Firmen und -Institute um die Fördertöpfe ab. Laut Angaben des Wirtschaftsministeriums in Dresden wollen bei ECSEL „sächsische Antragsteller in 22 Projekten mit 54 Projektteilen aktiv werden“. Inoffiziellen Angaben zufolge sind dabei über 90 Firmen und Institute aus dem Freistaat – teils mit auswärtigen Partnern – am Start.

Ein Galliumnitrid-beschichterer Silizium-Wafer von Azzurro. Abb. (3): Azzurro

Dresdner Elektronikfirma „Azzurro“ pleite

Auf dem Weg zu Galliumnitrid-beschichteten Wafern ging Fabrik das Geld aus Dresden, 6. Mai 2014: Die auf Spezial-Chipscheiben mit Galliumnitrid-Beschichtung spezialisierte Dresdner Hightech-Firma „Azzurro“ ist pleite. Das hat Insolvenzverwalter Gunter Tarkotta auf Anfrage bestätigt. Dem Unternehmen sei es nicht gelungen, seine innovative Technik bis zur Marktreife zu bringen und damit Geld zu verdienen, schätzte der Rechtsanwalt ein. „Die Entwicklung ist steckengeblieben. Man fand keine neuen Geldgeber mehr, um sie zu Ende zu bringen.“ Der größte Teil der 42-köpfigen Belegschaft an der Breitscheidstraße sei freigestellt und als arbeitslos gemeldet. Geblieben sei nur eine kleine Abwicklungsmannschaft von sieben Mitarbeitern. Land und Stadt hatten den Fabrikbau noch 2012 als einen großen Ansiedlungserfolg für den Mikroelektronikstandort Dresden gefeiert und gefördert.

Sachsen wollen Galliumnitrid-Chipscheiben entwickeln

Neues Forschungslabor in Freiberg eröffnet Freiberg, 2. Oktober 2013: Im sächsischen Freiberg hat Landes-Forschungsministerin Sabine von Schorlemer (parteilos) heute ein Forschungszentrum offiziell eröffnet, das echte Gallium-Nitrid-Scheiben (GaN) für Leistungshalbleiter und Laser-Dioden entwickeln soll. Der Freistaat hatte für die Erstausrüstung 1,6 Millionen Euro gegeben. An den Forschungen im sächsische GaN-Zentrum, die aus Fonds der EU, des Landes Sachsens und des Bundesforschungsministeriums gefördert werden, beteiligen sich das „Namlab“ der TU Dresden, die Bergakademie Freiberg und die „Freiberger Compound Materials GmbH“ (FCM).

Leistungselektronik: Namlab will in Freiberg Gallium-Kristalle züchten

TU Dresden und FCM gründen gemeinsames Labor Freiberg/Dresden, 26. September 2013: Das „Namlab“ der TU Dresden eröffnet am 2. Oktober 2013 im sächsischen Freiberg ein neues Forschungslabor, in dem die Elektronik-Forscher gemeinsam mit dem Unternehmen „Freiberger Compound Materials GmbH“ (FCM) Gallium-Nitrid-Einkristalle (GaN) als Alternative zum klassischen Chip-Silizium züchten wollen. Die Namab-Außenstelle ist als Teil des „Galliumnitrid-Zentrums Sachsen“ gedacht, das erforschen soll, wie dieses bisher schwer verarbeitbare und teure Halbleitermaterial für die Massenproduktion von Leistungselektronik verwendet werden kann.

Infineon-Chef: Galliumnitrid löst Silizium in nächster Zukunft nicht ab

Neubiberg/Villach/Dresden, 25. Februar 2012. Gallium-Nitrid wird Silizium als Grundmaterial für die Produktion von Leistungs-Halbleitern in nächster Zukunft nicht ablösen. Das hat Infineon-Konzernchef Reinhard Ploss prognostiziert. Massiv-Scheiben (Wafer) aus dieser Verbindung seien schlichtweg unbezahlbar – und dies gelte wohl auch für die nächsten Jahre so.

Sachsen fördert Galliumnitrid-Halbleiterforschung in Dresden mit 3,5 Millionen Euro

Dresden, 24.7.2012: Der Freistaat Sachsen und die EU fördern die Dresdner Entwicklung von Spezial-Halbleitern mit über 3,5 Millionen Euro. Dabei handelt es sich um 200 Millimeter große Siliziumscheiben (Wafer), die mit einer Gallium-Stickstoff-Verbindung (GaN) beschichtet werden, wie sie für die Produktion von Leuchtdioden und Leistungselektronik benötigt werden. Einen Förderbescheid über 2,6 Millionen Euro hat Landesforschungs-Ministerin Sabine von Schorlemer (parteilos) heute an die „Azzurro“Fabrik in Dresden übergeben. Eine weitere Tranche über 930.000 Euro hat sie bereits dem Projektpartner „Namlab“ – einem Elektronikinstitut der TU Dresden – zugesagt.

Dresdner Azzurro-Halbleiterfabrik startet im Sommer 2012 Produktion von GaN-Wafern

Belegschaft soll sich bis 2015 auf 200 Mitarbeiter verfünffachen Dresden, 26.3.2012: Das Halbleiterunternehmen „Azzurro Semiconductors AG“ will im Sommer 2012 seine Dresdner Fabrik für Gallium-Nitrid-Chipscheiben (Wafer) offiziell in Betrieb nehmen und die Belegschaft dort mittelfristig verfünffachen. Das kündigte Azzurro-Vizepräsident Alexander Lösing heute in der sächsischen Landeshauptstadt an.

Sachsen punktet im Standort-Wettbewerb um Investoren

Dresden, 26.3.2012: Wirtschaftsminister Sven Morlok (FDP) und die „Wirtschaftsförderung Sachsen“ sind optimistisch, dass sich der jobträchtige Investitionskurs nationaler und internationaler Unternehmen im Freistaat auch in diesem Jahr fortsetzen wird. Im Standortwettbewerb um neue Unternehmens-Ansiedlungen gelinge es Sachsen zunehmend, sich mit seinem Fachkräfte-Reservoir und seiner bundesweit einzigartigen Dichte an Forschungsinstituten gegen andere Bundesländer durchzusetzen, schätzte WFS-Chef Peter Nothnagel ein. „Sachsen ist und bleibt ein attraktiver Standort für Investitionen“, erklärte er bei einem Besuch in der erst kürzlich angesiedelten Mikroelektronik-Firma Azzurro.

Zukunftsmaterial: Azzurro baut in Dresden Fabrik für Gallium-Nitrid-Wafer

Dresden, 6.12.2011: Die Magdeburger Halbleiterfirma „Azzurro“ baut in Dresden eine Fabrik für innovative Siliziumscheiben (Wafer) mit Galliumnitrid-Beschichtung (GaN), wie sie für Leistungselektronik und Leuchtdioden benötigt werden. Das Unternehmen investiert über 19 Millionen Euro in dieses Projekt. Die Produktionsanlage entsteht in einer früheren Werkhalle an der Breitscheidstraße 78, die zum Reinraum umgerüstet wird. Hier sind für den Anfang 41 neue Arbeitsplätze geplant.

Freiberger entwickeln Galliumnitrid-Halbleiter

Freiberg, 27.9.2011: Freiberger Forscher wollen mit staatlicher Unterstützung neue Technologien entwickeln, um Computerchips auf der Basis von Galliumnitrid (GaN) statt Silizium in der Massenproduktion zu ermöglichen. Einen Förderbescheid für dieses Projekt übergibt morgen Sachsens Wissenschaftsministerin Sabine von Schorlemer (parteilos) an die Freiberger Compound Materials GmbH (FCM) und das “Fraunhofer-Technologiezentrum Halbleitermaterialien” (THM).