Alle Artikel mit dem Schlagwort: Gallium Nitrid

Gallium-Nitrid-Chiptechnik: Sachsen fördert 200-mm-Wafer-Entwicklung bei Azzurro

Dresden, 19.7.2012: Der Freistaat Sachsen wird die Entwicklung von Galliumnitrid-beschichteten 200-Millimeter-Wafern für Leistungselektronik und Leuchtdioden in der Halbleiterfirma “Azzurro” mit Fördermitteln unterstützen. Einen entsprechenden Förderbescheid will die sächsische Wissenschaftsministerin Sabine von Schorlemer (parteilos) in der kommenden Woche an die Dresdner Azzurro-Fabrik übergeben, die die neue Technologie gemeinsam mit dem Nanoelektronik-Institut “Namlab” der TU Dresden entwickeln will.

Azzurro: Wir stehen nicht in Konkurrenz zu Freiberger GaN-Projekt

Dresden, 5.4.2012: Die Dresdner Halbleiter-Firma „Azzurro“, die sich auf mit Gallium-Nitrid (GaN) beschichtete Siliziumscheiben („Wafer“) spezialisiert hat, sieht sich nicht als Konkurrenz zur „Freiberger Compound Materials GmbH“ (FCM), die gemeinsam mit Dresdner TU- und Fraunhofer-Forscher an der Entwicklung reiner GaN-Kristallscheiben arbeitet. Das betonte Azzurro-Manager Alexander Lösing. Die Freiberger Technologie führe zwar zu größere Leistungsdichte, sei aber noch ein ganzes Stück von der Marktreife entfernt und so teuer, dass eine Eroberung von Massenmärkten schwer vorstellbar sei.

Zentrum für Galliumnitrid-Elektronik in Sachsen geplant

Hochspannungsmaterial soll Elektroautos mehr Reichweite verschaffen Dresden/Freiberg, 9.11.2011. Damit die europäische Industrie bei der Entwicklung von Elektroautos und anderen neuen Technologieprodukten nicht in die Abhängigkeit von asiatischen und amerikanischen Spezialchip-Zulieferern gerät, wollen die Freiberger Firma „FCM” und Forscher des Dresdner „Namlabs” eine Produktionslinie für Gallium-Nitrid-Scheiben in Freiberg aufbauen. Heute bekommen die Partner von Sachsens Wissenschaftsministerin Sabine von Schorlemer (parteilos) einen Förderbescheid über 1,9 Millionen Euro, um eine Pilotanlage zu kaufen. Die allermeisten Computerchips werden heutzutage aus Silizium gefertigt. Als Steuerelektronik für Elektroautos, Windparks und Solarkraftwerke stößt diese ausgereifte Technologie allerdings mehr und mehr an ihre Grenzen: Hier fließen nicht Milli-Ströme wie im PC, sondern sind Spannungen von einigen Hundert, teils über 1000 Volt zu bewältigen. Abhilfe soll da ein Verbindungshalbleiter aus den Elementen Gallium und Stickstoff bringen, der hohe Stromstärken und Spannungen aushält, aber nur wenig Verlustwärme erzeugt. Bauelemente auf dieser Basis sollen in Zukunft beispielsweise Elekroautos mehr Reichweite verschaffen, die Handy-Netze leistungsfähiger machen und viele Energie in der Wirtschaft sparen. GaN-Wafer auf freiem Markt gar nicht erhältlich Das dafür benötigte Galliumnitrid (GaN) ist jedoch …