Alle Artikel mit dem Schlagwort: MRAM

Prototyp eines antiferromagnetischen magnetoelektrischen Speicherchips, der von Forschern aus Dresden und Basel entwickelt wurde. Er besteht aus einer dünnen Chromoxid-Schicht (Cr2O3) zum Speichern, auf der die Physiker eine weitere ultradünne Platinschicht aufbringen, die zum Auslesen genutzt wird. Abbildung: T. Kosub

Rossendorfer entwickeln neuen Magnet-Datenspeicher

Dresden/Basel, 3. Januar 2016. Physiker und Materialforscher aus Dresden und Basel haben den Prototypen für einen neuen magnetischen Speicher entwickelt, der sich Daten ohne ständige Stromzufuhr merken kann. Die Wissenschaftler wollen damit den Weg zu Smartphones und Rechenzentren eröffnen, die viel weniger elektrische Energie als Abwärme verpulvern als heutige Computer.

Imec und Globalfoundries entwickeln Spin-Magnetspeicherchips

STT-MRAMs sollen PCs und Handys schnelleres und größeres Gedächtnis verpassen Löwen/Dresden, 22. Mai 2013: Der Chip-Auftragsfertiger Globalfoundries (GF) und das belgische Hableiter-Forschungszentrum Imec in Löwen wollen gemeinsam eine neue Generation von Magnet-Chips entwickeln, die in Zukunft dank einer Spin-Steuerung mehr und schneller Daten speichern können sollen als herkömmliche Speicher-Bausteine, wie sie in heutigen Computern oder Handys verbaut werden. Das teilten GF Dresden und das Imec nun mit. Dabei handelt es sich um sogenannte STT-MRAMs, also Spintransfer-Drehmoment-Magnetspeicher. Leistungssprung durch Spintronik erwartet In solchen Chips werden Informationen nicht elektrisch, sondern magnetisch abgespeichert. Sie können sich die Daten auch ohne ständige Stromzufuhr „merken“. Umgeschaltet werden sie durch polarisierte Ströme, deren Elektronen alle das gleiche Quantendrehmoment („Spin“) haben. Bisher sind MRAMs kaum über Kleinserien hinausgekommen, da sie aufwendig zu produzieren und damit teuer sind. Zudem ließen ihre Schaltgeschwindigkeiten und ihre Speicherdichte in der Vergangenheit zu wünschen übrig. Durch die STT-Technologie soll sich das ändern: Imec und GF wollen unter anderem die Architektur und Fertigung von STT-MRAMs erproben, deren Strukturen weniger als zehn Nanometer (Millionstel Millimeter) messen und die in …