Alle Artikel mit dem Schlagwort: Megabit-Chip

Heiße Blitzer aus Sachsen für die Nanotechnologen

Ursprungstechnologie wurde vor 30 Jahren in Dresden-Rossendorf für Honeckers Megabitchip entwickelt Dresden/Rom, 21. April 2015. Sächsische Ingenieure haben ein Kernproblem für die Massenproduktion biegsamer Bildschirme gelöst: Die Dresdner Firma „DTF Technology“ macht Nanosubstrate mit Xenon-Blitzlichtern so heiß, dass diese elektronisch werden und zu Displays weiterverarbeitet werden können – ohne die superdünnen Gläser und Folien darunter in der Hitze kaputt gehen. Für ihre Entwicklung bekamen die Sachsen dieser Tage auf einer Investorenkonferenz in Rom eine Auszeichnung – und viele Elektronikunternehmen aus Korea und Japan kaufen bereits fleißig die ersten Pilotanlagen aus Dresden ein.

Die teure Jagd auf den Megabit-Chip

1977 entdeckt die SED wieder die Halbleiterei – und startet teure Aufholprogramme   Nach den Mikroelektronik-Beschlüssen des Jahres 1977 investierte die DDR-Führung wieder stärker in die Mikroelektronik, die sie immer mehr als Schlüsseltechnologie begriff. Dieser Kurs, der ab 1986 mit Megabit-Chip-Projekt und anderen teuren Vorhaben noch einmal forciert wurde, war nicht unumstritten – aber aus Sicht der Wirtschaftsführung alternativlos. Und von der Expertise, die damals akkumuliert wurde, profitiert Sachsen bis heute.

Hochstapelei bei Taiwans “3D-Chips” von TSMC

Taipeh, 17.7.11:Kürzlich noch hatten taiwanesische Quellen, hinter denen möglicherweise der Außenhandels-Entwicklungsrat (External Trade Development Council) steckt, recht großspurig verkündet, Taiwans Vorzeige-Chipschmiede TSMC werde bereits Ende 2011 – und damit früher als Intel – die ersten 3D-Chips ausliefern (Der Oiger berichtete). Ein näherer Blick auf die zugrundeliegenden TSMC-Bekanntmachungen zeigt jedoch: Von einer echten 3D-Konstruktion im Transistoraufbau wie bei Intel kann bei den asiatischen Halbleitern keine Rede sein. TSMC selbst spricht von “2,5-D-Schaltkreisen”, was fast wie das legendäre “ein bisschen schwanger” anmutet. Tatsächlich will der Chip-Auftragsfertiger bei seinen 20-Nanometer-Halbleiter die sogannte Silizium-Durchkontaktierung verwenden (“through-silicon via” = TSV), bei der Schaltkreise schon in der Fertigung “übereinandergestapelt” aufgebracht und in der dritten Dimension durch die Isolierschichten miteinander vernetzt werden. Dieses Frontend-Verfahren ist zwar noch relativ jung, aber vom grundlegend neuem Schalteraufbau von Intels Trigate-Transistoren noch ein ganzes Sück entfernt. Das Ganze erinnert ein wenig an den sowjetischen “Megabit”-Chip der 80er Jahre, bei dem die Genossen das “unwesentliche” Detail zu erwähnen vergaßen, dass es sich nur um vier zusammengeschaltete 256-KB-Schaltkreise handelte. hw