Alle Artikel mit dem Schlagwort: Power Semiconductor

Galliumnitrid-Wafer von Infineon. Foto: Infineon

Galliumnitrid-Chips sollen Stromverbrauch von E-Autos und Solaranlagen deutlich senken

Infineon Österreich startet mit Partnern aus Sachsen ALL2GaN-Projekt Villach/Dresden/Chemnitz, 24. Mai 2023. Um die Stromverluste von Elektroauto-Ladegeräten, Solar-Wechselrichtern und anderer Energietechnik um 30 Prozent zu senken, will ein europäisches Konsortium unter Infineon-Führung Leistungs-Chips aus der dem Silizium-Alternativmaterial Galliumnitrid (GaN) viel breiter als bisher in der Wirtschaft einsetzen. An dem dafür nun im österreichischen Villach gestarteten Verbundprojekt „Affordable smart GaN IC solutions for greener applications“, kurz: „ALL2GaN“, beteiligen sich auch Partner aus Sachsen. Dazu gehören die Chemnitzer Werkstoffmechanik, das Namlab der TU Dresden, die TU Chemnitz und das schwedisch-sächsische Halbleiterunternehmen „Alixlabs“. Das geht aus Mitteilungen von Infineon und Alixlabs hervor.

Madhu Lakshman Mysore (l.) und Xing Liu haben an der TU Chemnitz am Lestungselektronik-Projekt "Power2Power", mitgearbeitet. Hier messen sie einen Versuchsstand, siwe robust die neuen Leistungshalbleiter sind und wie sich die Kurzschluss-Gefahr senken lässt. Foto: Professur für Leistungselektronik der TUC

Hochspannende Elektronik wird langlebiger

TU Chemnitz arbeitete im „Power2Power“-Projekt mit an besserer Leistungselektronik für Solarkraftwerke und Elektroautos Chemnitz/Dresden, 19. Januar 2023. Damit die Leistungselektronik in Elektroautos, Solarkraftwerken und Eilzüge nicht mehr so schnell durchbrennt und jahrzehntelang hält, haben Forscher der TU Chemnitz im Zuge des „Power2Power“-Verbundprojektes robustere und kurzschlussfestere Transistoren mitentwickelt. Das geht aus einer Mitteilung der Chemnitzer Uni hervor.

Eine Mitarbeiterin veredelt an dieser 35PE-Anlage im Technologiezentrum Dresden GaAs-Wafer im Hochvakuum zu GaAs-Leistungshalbleitern. Foto: 35PE/Kristin SchmidtEine Mitarbeiterin veredelt an dieser 35PE-Anlage im Technologiezentrum Dresden GaAs-Wafer im Hochvakuum zu GaAs-Leistungshalbleitern. Foto: 35PE/Kristin Schmidt

„3-5 Power Electronics“: Hochvolt-Dioden aus Galliumarsenid nun serienreif

Dresdner Chipfirma sieht großes Potenzial für Solar- und Lade-Elektronik Dresden, 28. August 2022. Damit Schnelllade-Stationen für Elektroautos und Solaranlagen künftig effizienter arbeiten, hat „3-5 Power Electronics“ aus Dresden nach eigenen Angaben nun Dioden aus Gallium-Arsen-Verbindungen für Spannungen um die 1200 Volt zur Serienreife geführt. Das geht aus einer Mitteilung des Leistungshalbleiter-Unternehmens hervor.

Ionentechnologie-Direktor Dr. Roman Böttger von der HZDR Innovation steht mit einer Wafer-Kassette an der neuen Ionenimplantations-Endstation im slowakischen Trnava. Foto: P. Krajcovic für HZDR Innovation

Dresdner Chipveredler eröffnen Zweitstandort bei Bratislava

Helmholtz-Tochter „HZDR Innovation“ bringt nun auch in der Slowakei Ionenkanonen für die Energiewende in Stellung Dresden/Trnava, 8. Dezember 2021. Spezialisten vom Dresdner Technologie-Unternehmen „HZDR Innovation“ beschießen seit geraumer Zeit mit ihren Ionenkanonen die Leistungselektronik führender Chiphersteller und werten sie dadurch auf. Nach dieser „Ionenimplantation“ schalten diese Spezialchips in Elektroautos, ICE-Züge und Windkraftwerken effizienter und verplempern weniger Strom. Solche Spezialbehandlungen nach Rossendorfer Art sind inzwischen sehr gefragt. Zudem wächst die Nachfrage für Elektronik, die hohe Spannungen und starke Ströme verträgt, angesichts von Energiewende und Elektomobilitäts-Schenk stark an. Daher hat die Helmholtz-Tochter nun einen zweiten Chipveredelungs-Standort im slowakischen Trnava eingerichtet. Das hat das Mutterinstitut der Transferfirma, das Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR), mitgeteilt.

Blick in den Reinraum der neuen Halbleiterfabrik von Bosch in Dresden. Foto: Bosch

Bosch-Chipfabrik in Dresden startet Pilotproduktion

Seriefertigung soll Ende 2021 beginnen Dresden, 8. März 2021. Bosch fährt in seiner neuen Chipfabrik die Fertigung von Leistungselektronik hoch. Die ersten Siliziumscheiben (Wafer) der Größenklasse 300 Millimeter sind nun eingeschleust, damit beginnt nun die Prototypenproduktion. Ende 2021 soll dann die Serienproduktion starten. Das hat der Stuttgarter Technologiekonzern heute mitgeteilt. Ursprünglich wollte Bosch die Fabrik Anfang 2020 offiziell eröffnen, hat das in Corona-Zeiten nun aber auf den Juno 2021 verschoben.

Blick in eine Experimentalkammer im ELBE-Komplex des Forschungszentrums Dresden-Rossendorf, an die bereits der Draco-Laser angeschlossen ist. Foto: Heiko Weckbrodt, "Creative Commons"-Lizenz 3.0 (freie Nutzung unter Namensangabe)

Neues Material für hochspannende Chips

Helmholtz Dresden spickt Galliumoxid mit Wasserstoff Dresden, 12. November 2020. Das Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR) hat gemeinsam mit Instituten aus Ohio, Berkeley und Los Alamos ein neues Material entwickelt, das sich für besonders billige und sparsame Leistungselektronik für Elektroautos, Hochgeschwindigkeitszüge und Solarkraftwerke eignet. Dafür haben die Forscher und Forscherinnen eine spezielle Galliumoxid-Art mit Wasserstoff-Atomen beschossen, teilte das HZDR heute mit. Durch diese „Dotierung“ kann dieses Halbleitermaterial nun mit schwachen Steuersignale auch sehr starke Ströme und hohe Spannungen umschalten.

Leistungshalbleiter wie diese vertragen Spannungen um die 1200 Volt. Nun will Infineon neben der Produktion auch die Entwicklung von Hochspannungs-Elektronik in Dresden konzentrieren. Foto: Infineon

Hochspannende Chips: Infineon stärkt Entwicklungszentrum Dresden

Elektronikunternehmen stellt Experten für neue Arbeitsgruppe ein Dresden, 17. September 2020. Der deutsche Mikroelektronik-Konzern Infineon überträgt seinem Dresdner Entwicklungszentrum zusätzliche Aufgaben: Neben Computerchips für klassische Autos und für „Künstliche Intelligenz“ (KI) sollen die Forscher dort nun auch Hochspannungs-Steuermodule für Elektroautos und andere elektrische Fahrzeuge entwickeln – vor allem für besonders effiziente Antriebe. Dafür entsteht in Dresden eine neue Arbeitsgruppe für Leistungshalbleiter, für die Infineon nun zunächst ein halbes Dutzend Elektromobilitäts-Spezialisten sucht – weitere sollen folgen, teilte Infineon-Standortsprecher Christoph Schumacher auf Oiger-Anfrage mit.

Die 300-mm-Scheiben, die Infineon für seine neuen Leistungs-Halbleiter verwendet, sind so dünn, dass sie biegsam werden. Foto: Infineon

Infineon plant neues Fabrikmodul in Dresden

Die Entscheidung über die Multimillionen-Investition ist noch nicht gefallen. Die Zeit drängt aber, denn die Nachfrage für Hochspannungs-Chips steigt. Dresden, 25. Oktober 2019. Weil für die Energiewende und für den Umstieg auf Elektroautos mehr und mehr Leistungselektronik gefragt ist, erwägt Infineon Dresden nun, ein viertes Fabrikmodul in Klotzsche zu bauen. In dem Neubau sollen voraussichtlich auf 300 Millimeter großen Siliziumscheiben (Wafer) spezielle Chips hergestellt werden, die hohe Spannungen und starke Ströme verkraften. Das hat Standortsprecher Christoph Schumacher auf Anfrage bestätigt. Allerdings habe die Infineon-Konzernspitze noch nicht über dieses Dresdner Projekt entschieden.

Sichtprüfung der Siliziumkarbid-Halbleiter während der Produktion in der Waferfabvon Bosch in Reutlingen. Foto: Bosch

Bosch will Elektroautos mit Kohle-Chips anfeuern

Deutscher Elektronikkonzern steigt in Leistungs-Halbleiter auf Siliziumkarbid-Basis ein Reutlingen/Dresden, 7. Oktober 2019. Bosch wird künftig Schaltkreise, die besonders starke Ströme und hohe Spannungen aushalten müssen, auf Scheiben aus einem Silizium-Kohlenstoff-Verbund produzieren. Das hat Harald Kröger von der Bosch-Geschäftsleitung heute bei einem Besuch der neuen Chipfabrik in Dresden angekündigt. Mit solchen besonders schnellen und effizienten Leistungs-Halbleitern aus Silizium-Karbid (SiC) werde es möglich, „die Reichweite von Elektroautos um etwa sechs Prozent zu vergrößern“, versprach er.

Eine Mitarbeiterin veredelt an dieser 35PE-Anlage im Technologiezentrum Dresden GaAs-Wafer im Hochvakuum zu GaAs-Leistungshalbleitern. Foto: 35PE/Kristin SchmidtEine Mitarbeiterin veredelt an dieser 35PE-Anlage im Technologiezentrum Dresden GaAs-Wafer im Hochvakuum zu GaAs-Leistungshalbleitern. Foto: 35PE/Kristin Schmidt

35PE Dresden entwickelt Elektronik für Ultraschnell-Ladesäulen

Galliumarsenid-Leistungshalbleiter sollen effektiver als Karbid-Konkurrenz sein Dresden, 30. September 2019. Dass sich Elektroautos bisher in Deutschland nicht durchgesetzt haben, hat viele Gründe. Dazu gehören die höheren Preise von E-Fahrzeugen im Vergleich zu Autos der gleichen Leistungsklasse mit Verbrennungsmotoren, die geringe Reichweite und das noch rechte dünne Netz aus standardisierten, leistungsstarken Ladessäulen. Und nicht zuletzt dauert es deutlich länger, ein E-Auto aufzuladen als einen Benziner vollzutanken. Um zumindest dieses Problem zu mindern, arbeiten Ingenieure weltweit an neuen „Ultraschnell-Ladesstationen“. Sie sollen die Stromer binnen 20 Minuten aufladen. Das Karlsruher Institut für Technologie (KIT) hat dafür besondere Leistungselektronik der Dresdner Halbleiter-Firma „35PE“ unter die Lupe genommen.

Leistungselektronik "Made in Europe": Das Elektronikmodul "Hybridpack2" von Infineon regelt die Motorleistung in Elektrofahrzeugen. Foto: Infineon

„Power2Power“: Bessere Leistungselektronik für Europa

Infineon startet in Dresden kooperatives Forschungsprojekt Dresden, 5. Februar 2019. Damit Europa im Zukunftsmarkt der Leistungs-Elektronik für Elektroautos, Solarkraftwerke und Haushaltsgeräte nicht zu abhängig von den USA und China wird, hat der deutsche Mikroelektronik-Konzern Infineon in Dresden heute das kooperative Forschungsprojekt „Power2Power“ gestartet.

Eine Mitarbeiterin veredelt an dieser 35PE-Anlage im Technologiezentrum Dresden GaAs-Wafer im Hochvakuum zu GaAs-Leistungshalbleitern. Foto: 35PE/Kristin SchmidtEine Mitarbeiterin veredelt an dieser 35PE-Anlage im Technologiezentrum Dresden GaAs-Wafer im Hochvakuum zu GaAs-Leistungshalbleitern. Foto: 35PE/Kristin Schmidt

Familie Sturm investiert in Elektronikfirma 35PE in Dresden

Fränkisches Kapital soll helfen, neue Leistungshalbleiter-Technologie weltweit zu vermarkten Dresden, 22. November 2018. Das Dresdner Mikroelektronik-Unternehmen „3-5 Power Electronics“ (35PE) bekommt frisches Kapital und – neben der chinesischen SINO Alliance Investment Ltd. – einen neuen Investor: Die fränkische Familie Sturm steigt über ihre Beteiligungsgesellschaft „Sturm Family Office“ (SFO) aus Bad-Mergentheim ein. Das hat die „3-5 Power Electronics GmbH“ mitgeteilt.

Raik Brettschneider ist einer der beiden Geschäftsführer von Infineon Dresden. Foto: Infineon

Infineon investiert in Dresdner Chipfabriken

Neuer Geschäftsführer Brettschneider verspricht im DNN-Interview 300 neue Jobs Dresden, 16. April 2018. Infineon plant, in den nächsten Jahren einen dreistelligen Millionenbetrag in den Standort Dresden zu investieren und will 300 neue Jobs schaffen. Ein Teil der Gelder fließt in Roboter und neue Automatisierungs-Ausrüstungen, ein anderer Teil in die ehemalige Qimonda-Fabrik: Anfang der 2020er Jahre wird dieses Chipwerk mit der Produktion von Leistungs-Mikroelektronik voll ausgelastet sein, verspricht Raik Brettschneider. Der gebürtige Sachse ist seit Oktober 2017 kaufmännischer Geschäftsführer von Infineon Dresden und Vizepräsident des sächsischen Hightech-Verbandes „Silicon Saxony“ – und hat in beiden Funktionen Helmut Warnecke beerbt. Oiger-Reporter Heiko Weckbrodt hat ihn über seine Pläne ausgefragt: ob die Roboter die Menschen verdrängen, wie der neue Chef die 300-mm-Fabrik auszulasten gedenkt und wie er über die Bosch-Ansiedlung denkt. Wo sehen Sie den Infineon-Standort innerhalb des Konzerns und im internationalen Vergleich? Raik Brettschneider: Wir haben hier eine sehr effiziente Fertigung, die sehr wettbewerbsfähig ist und gut ausgelastet. Ich sehe Infineon Dresden als einen starken und zukunftssicheren Standort.