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Anlage für die Atomlagenabscheidung von FHR. Foto: FHR

Was ist Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition = ALD)?

Um sehr dünne Schichten zu erzeugen, die zum Beispiel die Reibung eines Motorzylinders mindern, einer Siliziumscheibe neue Computerchip-Elemente zufügen oder ein Feuerwehrhelm-Visier gegen Hitze und gleißende Helle schützen, gibt es verschiedene Verfahren, die alle ihre Vor- und Nachteile haben. Solche Dünnschichten lassen sich beispielsweise durch Lichtbögen, Elektronenstrahlen oder durch Kathodenzerstäubung („Sputter“) erzeugen. Eine weitere Möglichkeit ist die sogenannte Atomlagen-Abscheidung, englisch „Atomic Layer Deposition“ (ALD) genannt. Dieses Verfahren gilt zwar als eher langsam, aber auch als sehr präzise: Wie es der Name schon andeutet, lassen sich damit sogar Schichten erzeugen, die nur eine einzige Atomlage dünn sind. Entwickelt wurde diese Technologie in den 1960ern in der Sowjetunion und in den 1970ern in Finnland. Heute wird die ALD vor allem in Halbleiter-Fabriken eingesetzt. Und das funktioniert so: