Eine Fraunhofer-Mitarbeiterin zeigt im Reinraum einen 300-mm-Wafer (l.) und eine 450er Scheibe im Vergleich. Abb.: Fraunhofer IISB
Dresden, 9.8.2012: Zur „Semicon Europe“ im Oktober 2012 in Dresden wollen das europäische Projekt „EEMI450“ und das in Alabany bei New York angesiedelte Konsortium „G450C“ über ihre Fortschritte für den Umstieg der Halbleiterindustrie von 300 auf 450 Millimeter große Siliziumscheiben berichten. Das kündigte der Branchenverband „SEMI“ an, der Europas größte Mikroelektronik-Tagung ausrichtet.
Konsortien in USA und Europa entwickeln parallel 450-mm-Linien
Für das europäische „EEMI450“ haben sich auf Initiative der EU seit 2009 bisher 43 Institutionen und Unternehmen zusammen getan, darunter Intel Irland, die deutsche Waferzucht-Firma Siltronic, die europäischen Anlagenhersteller Aixtron, ASML und Oxford Instruments, Forscher der Fraunhofer-Gesellschaft und andere.
Die Pilotlinie des US-zentrierten Projektes „G450C“ ist am „College of Nanoscale Science and Engineering“ (CNSE) an der Uni Albany angesiedelt und zielt darauf, einen vollständigen 14-Nanometer-Prozess auf 450-mm-Wafern im Kleinformat zu entwickeln. An diesem Konsortium sind unter anderem Intel USA, Globalfoundries, IBM, Samsung und TSMC beteiligt.
Neuer Schub durch Intel-ASML-Deal
In die lange etwas dahindümpelnde Diskussion darüber, ob und wann sich der Umstieg auf größere Wafer angesichts der hohen Einstiegskosten lohnt, war in den vergangenen Wochen neuer Wind gekommen, nachdem Intel und TSMC angekündigt hatten, sich mit Milliardenaufwand an ASMLs Entwicklungsprogrammen für 450-mm- und Röntgenlithografie-Ausrüstungen zu beteiligen (Der Oiger berichtete). Heiko Weckbrodt
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