Alle Artikel mit dem Schlagwort: FinFET

Die Lithografie-Abteilung im X-Fab-Chipwerk in Dresden. Foto: X-Fab

X-Fab will Chipdesign-Firma M-Mos aus Hongkong kaufen

Belgisch-ostdeutsche Foundry möchte sich chinesische Transistor-Expertise sichern Erfurt/Tessenderlo, 21. Februar 2023. X-Fab will die chinesische Chip-Schmiede „M-Mos“ aus Hongkong für 22,5 Millionen Euro kaufen. Das hat das Mikroelektronik-Unternehmen heute in Tessenderlo angekündigt. Der belgisch-ostdeutsche Halbleiter-Auftragsfertiger will sich damit die Expertise der Chinesen in der Mikrotransistor-Architektur sichern.

Die US-Mikroelektronik - hier ein Intel-Wafer - dominiert mit 55 % Anteil ganz klar den Halbleiter-Weltmarkt. Europas Antel wrd auf nur 6 % geschätzt. Foto: Intel

Globalfoundries stoppt Entwicklung neuester Chiptechnologie

Halbleiterkonzern legt 7-Nanometer-Projekt in den USA auf Eis Santa Clara/Dresden/Taipeh, 28. August 2018. „Globalfoundries“ (GF) bricht die Entwicklung seiner neuesten Chipgeneration ab, weil der US-amerikanische Auftragsfertiger dafür nicht genug Kunden findet. Das geht aus einer Konzernmitteilung im kalifornischen Santa Clara hervor. Demnach stoppen die GF-Ingenieure ihr Projekt, künftig auch Halbleiter mit Strukturbreiten von nur noch 7 Nanometern (Millionstel Millimeter = nm) in „FinFET“-Bauweise anbieten zu wollen.

Vereinfachte Ansicht vom Aufbau eines klasissischen Transistors (links) und eines FD-SOI-Transistors. Grafik: hw

Was ist eigentlich ein FD-SOI-Transistor?

Dresden, 12. Juli 2015. Der Chiphersteller Globalfoundries hat heute angekündigt, bis 2017 eine Viertelmilliarde Dollar in sein Dresdner Werk zu investieren, um dort künftig FD-SOI-Halbleiter (Codename: 22FDX) herstellen zu können. Was aber steckt eigentlich hinter diesen kryptischen Kürzeln? Hier eine vereinfachte Erläuterung:

Umringt von zwei Wafer-bewaffneten Reinraum-Arbeitern freuen sich die Globalfoundries-Manager Gregg Bartlett, Sanjay Jha (CEO) und Rutger Wijburg: Rund 250 Millionen $ wollen sie investieren, um die Chipfabrik in Dresden auf die neue FD-SOI-Technik umzurüsten. Foto: Heiko Weckbrodt

Globalfoundries investiert Viertelmilliarde in Dresden

FD-SOI-Technik soll Internet der Dinge und Industrie 4.0 mit günstigen Chips versorgen Dresden, 13. Juli 2015. Der US-Elektronikkonzern „Globalfoundries“ (GF) wird bis 2017 etwa eine Viertelmilliarde Dollar (224 Millionen Euro) in sein Chipwerk in Dresden investieren, um dort die neue Transistor-Architekturtechnologie „FD-SOI“ (Fully Depleted Silicon on Insulator) einzuführen. Das hat GF-Konzernchef Sanjay Jha heute offiziell angekündigt und damit frühere Branchen-Spekulationen bestätigt. Von der neuen Technologie erhofft sich das Unternehmen einen Wettbewerbsvorsprung bei der Auftragsproduktion von besonders kostengünstigen und stromsparenden Halbleitern, wie sie für neue Generationen von Automobilen, Computertelefonen (Smartphones) sowie das „Internet der Dinge“ und die „Industrie 4.0“ benötigt werden. Die ersten FD-SOI-Chips sollen 2017 auf den Markt kommen. (english summary: see below)

Globalfoundries steigt für 14-Nanometer-Chips auf 3D-Architektur um

Milpitas/New York, 20. September 2012: Nach Intel steigt auch Globalfoundries (GF) auf echte 3D-Transistoren um: Wie der Chip-Auftragsfertiger aus dem kalifornischen Milpitas heute mitteilte, will das Unternehmen für die 14-Nanometer-Generation FinFet-Transisoren anbieten. „Fin“ steht dabei für die 3D-Finne des leitenden Kanals, um den sich im FinFet-Transistor die Steuerkanäle wie Bergleiten schmiegen. Einen ähnlichen Schalter-Aufbau setzt Prozessorriese Intel bereits bei seinen Trigate-Transistoren ein.