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78 Millionen Euro teures Infineon-Projekt tunt Leistungs-Halbleiter für Autos und Solarkraftwerke

Leistungshalbleiter werden auf süperdünnen Wafern hergestellt. Abb.: Infineon

Leistungshalbleiter werden auf süperdünnen Wafern hergestellt. Abb.: Infineon

Villach/Dresden, 26. April 2013: Infineon will seine neue Leistungshalbleiter-Technologie auf dünnen Siliziumscheiben (Wafer) in einem mit 74 Millionen dotierten Forschungsprogramm weiterentwickeln. Nach Unternehmensangaben handelt es sich bei „Enhanced Power Pilot Line“ (EPPL) um „eines der größten europäischen Forschungsprojekte der kommenden Jahre“. Beteiligt sind insgesamt 32 Firmen und Institute, darunter auch die TU Dresden und Infineon Dresden. Die Federführung liegt bei Infineons österreichischer Forschungsfabrik in Villach.

Der deutsche Halbleiterhersteller hatte als weltweit Erster in den vergangenen Jahren zunächst in Villach eine Technologie entwickelt, um Leistungshalbleiter – wie sie beispielsweise in Autos, Windkraftparks und Solarkraftwerken wegen der dort vorkommenden hohen Spannungen und Stromstärken benötigt werden – auf sehr dünnen 300-Millimeter-Wafern zu fertigen. Der Prozess wird derzeit in die Massenfertigung in Dresden überführt (Der Oiger berichtete).

Blick in die 300-mm-Power-Linie von Infineon in Villach. Abb.: Infineon

Blick in die 300-mm-Power-Linie von Infineon in Villach. Abb.: Infineon

Im EPPL-Projekt sollen bis 2016 diese Technologien nun verbessert werden. Zum Beispiel geht es darum, neue Silizium-Dotietierungen zu entwickeln, die neuen Prozesstechniken auf andere Halbleitersegmente zu übertragen, die Produktion weiter zu automatisieren, aber auch Transistor-Fertigungsmethoden wie CoolMOS, IGBT und SFET zu verfeinern. Gefördert wird das Projekt von der EU, dem deutschen Bundesforschungsministerium und weiteren Geldgebern. Heiko Weckbrodt

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