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Globalfoundries steigt für 14-Nanometer-Chips auf 3D-Architektur um

Dreidimensionaler FinFET-Transistor. Abb.: Globalfoundries

Dreidimensionaler FinFET-Transistor. Abb.: Globalfoundries

Milpitas/New York, 20. September 2012: Nach Intel steigt auch Globalfoundries (GF) auf echte 3D-Transistoren um: Wie der Chip-Auftragsfertiger aus dem kalifornischen Milpitas heute mitteilte, will das Unternehmen für die 14-Nanometer-Generation FinFet-Transisoren anbieten.

„Fin“ steht dabei für die 3D-Finne des leitenden Kanals, um den sich im FinFet-Transistor die Steuerkanäle wie Bergleiten schmiegen. Einen ähnlichen Schalter-Aufbau setzt Prozessorriese Intel bereits bei seinen Trigate-Transistoren ein.

Der dreidimensionale – statt bisher ebene – Transistoraufbau soll Leckströme beim Vorstoß in die 14-Nanometer-Welt, in der die Funktionsstrukturen teils nur noch wenige Atomlagen dünn sind, vermeiden helfen. Letztlich verspricht GF seinen Kunden damit „Systems-on-Chips“ (SoCs), die um 40 bis 60 Prozent längere Akku-Laufzeiten für Computertelefone (Smartphones) und für andere mobile Geräte ermöglichen sollen. Die ersten Kunden-Entwürfe für diese Technik sollen 2013 entgegen genommen werden.

GF ist nach der taiwanesischen TSMC mittlerweile der weltweit zweitgrößte Chip-Auftragsfertiger (Der Oiger berichtete) und betreibt seine Leitwerke in Malta bei New York und in Dresden. Heiko Weckbrodt

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